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報(bào)警監(jiān)控一體化需求成安防領(lǐng)域重要趨勢(shì)
系統(tǒng)整合已經(jīng)成為安防領(lǐng)域的重要趨勢(shì)，影響著從視頻監(jiān)控系統(tǒng)到防盜報(bào)警系統(tǒng)的各個(gè)子系統(tǒng)。視頻監(jiān)控系統(tǒng)需要足夠的儲(chǔ)存空間，而防盜報(bào)警系統(tǒng)則可能產(chǎn)生較高的誤報(bào)率。然而，如果兩者相結(jié)合的話，它們就可以提供一種可靠的安防解決方案。
2010-06-17
視頻監(jiān)控 安防 報(bào)警監(jiān)控
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Vishay發(fā)布節(jié)約器件空間和成本的解決方案視頻
日前， Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，為幫助客戶了解在一個(gè)小尺寸器件內(nèi)組合封裝的高邊和低邊MOSFET如何節(jié)省DC-DC轉(zhuǎn)換器的空間和成本，
2010-06-17
Vishay MOSFET 器件 SiZ700DT
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Vishay發(fā)布節(jié)約器件空間和成本的解決方案視頻
日前， Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，為幫助客戶了解在一個(gè)小尺寸器件內(nèi)組合封裝的高邊和低邊MOSFET如何節(jié)省DC-DC轉(zhuǎn)換器的空間和成本，
2010-06-17
Vishay MOSFET 器件 SiZ700DT
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Vishay發(fā)布節(jié)約器件空間和成本的解決方案視頻
日前， Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，為幫助客戶了解在一個(gè)小尺寸器件內(nèi)組合封裝的高邊和低邊MOSFET如何節(jié)省DC-DC轉(zhuǎn)換器的空間和成本，
2010-06-17
Vishay MOSFET 器件 SiZ700DT
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我國(guó)RFID今年可達(dá)120億元
從日前閉幕的“2010中國(guó)國(guó)際智能卡與RFID博覽會(huì)暨第八屆中國(guó)(北京)RFID與物聯(lián)網(wǎng)國(guó)際峰會(huì)”上獲悉，我國(guó)RFID市場(chǎng)已經(jīng)呈現(xiàn)高速發(fā)展態(tài)勢(shì)，去年的市場(chǎng)規(guī)模已達(dá)85.1億元，僅次于美國(guó)和英國(guó)居全球第三位，比上年增長(zhǎng)25.9%，預(yù)計(jì)今年這一數(shù)字可以達(dá)到120億元。
2010-06-17
物聯(lián)網(wǎng) RFID 智能卡
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我國(guó)RFID今年可達(dá)120億元
從日前閉幕的“2010中國(guó)國(guó)際智能卡與RFID博覽會(huì)暨第八屆中國(guó)(北京)RFID與物聯(lián)網(wǎng)國(guó)際峰會(huì)”上獲悉，我國(guó)RFID市場(chǎng)已經(jīng)呈現(xiàn)高速發(fā)展態(tài)勢(shì)，去年的市場(chǎng)規(guī)模已達(dá)85.1億元，僅次于美國(guó)和英國(guó)居全球第三位，比上年增長(zhǎng)25.9%，預(yù)計(jì)今年這一數(shù)字可以達(dá)到120億元。
2010-06-17
物聯(lián)網(wǎng) RFID 智能卡
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我國(guó)RFID今年可達(dá)120億元
從日前閉幕的“2010中國(guó)國(guó)際智能卡與RFID博覽會(huì)暨第八屆中國(guó)(北京)RFID與物聯(lián)網(wǎng)國(guó)際峰會(huì)”上獲悉，我國(guó)RFID市場(chǎng)已經(jīng)呈現(xiàn)高速發(fā)展態(tài)勢(shì)，去年的市場(chǎng)規(guī)模已達(dá)85.1億元，僅次于美國(guó)和英國(guó)居全球第三位，比上年增長(zhǎng)25.9%，預(yù)計(jì)今年這一數(shù)字可以達(dá)到120億元。
2010-06-17
物聯(lián)網(wǎng) RFID 智能卡
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Full LED高效節(jié)能成未來(lái)背光技術(shù)走向
LED電視面市至今受到企業(yè)的一致推廣和越來(lái)越多消費(fèi)者的認(rèn)可，目前市面上LED電視采用較多的是側(cè)光式LED，雖然比傳統(tǒng)液晶電視更節(jié)能環(huán)保，但技術(shù)上仍然存在一定缺陷，新一代Full LED才代表了未來(lái)背光技術(shù)的走向。
2010-06-17
Full LED 節(jié)能 背光技術(shù)
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硅負(fù)極鋰離子電池實(shí)現(xiàn)實(shí)用化 日立麥克賽爾6月起供貨
日立麥克賽爾開發(fā)出了通過(guò)負(fù)極采用硅類材料，容量可比該公司原產(chǎn)品提高10％的鋰離子充電電池。首先將從2010年6月開始面向智能手機(jī)供貨方形單元。
2010-06-17
硅負(fù)極 鋰離子 電池 麥克賽
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