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2011 全球手機(jī)市場回顧與分析—市場整體規(guī)模增速放緩
據(jù)IDC 發(fā)布的2011 年第四季度全球手機(jī)市場數(shù)據(jù)顯示:蘋果成為全球第三大手機(jī)廠商（不是智能手機(jī)領(lǐng)域）。同步匯總的2011 年全年手機(jī)市場數(shù)據(jù)中．蘋果同樣強(qiáng)勢上升，以9320 萬臺iPhone 銷量佳績穩(wěn)坐“全球第三大手機(jī)廠商”寶座，其中中國廠商中興以6610 萬臺手機(jī)銷量成為全球第五大手機(jī)制造商。
2012-03-29
智能手機(jī) 手機(jī) 蘋果 IDC
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電子產(chǎn)品制造商SigmaTron為削減成本和增加業(yè)務(wù)選擇安捷倫測試設(shè)備
近日，北京――總部設(shè)在美國的領(lǐng)先合同電子產(chǎn)品制造商SigmaTron表示，新的安捷倫解決方案幫助公司滿足寬范圍的測試要求，包括嚴(yán)格的成本、質(zhì)量和出貨目標(biāo)。從而使SigmaTron公司能夠擴(kuò)展業(yè)務(wù)范圍，應(yīng)對不確定全球經(jīng)濟(jì)的挑戰(zhàn)。
2012-03-29
電信 半導(dǎo)體 安捷倫 測試設(shè)備
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電子產(chǎn)品制造商SigmaTron為削減成本和增加業(yè)務(wù)選擇安捷倫測試設(shè)備
近日，北京――總部設(shè)在美國的領(lǐng)先合同電子產(chǎn)品制造商SigmaTron表示，新的安捷倫解決方案幫助公司滿足寬范圍的測試要求，包括嚴(yán)格的成本、質(zhì)量和出貨目標(biāo)。從而使SigmaTron公司能夠擴(kuò)展業(yè)務(wù)范圍，應(yīng)對不確定全球經(jīng)濟(jì)的挑戰(zhàn)。
2012-03-29
電信 半導(dǎo)體 安捷倫 測試設(shè)備
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2657A：吉時利發(fā)布為測試優(yōu)化的高電壓數(shù)字源表
近日，先進(jìn)電氣測試儀器與系統(tǒng)的世界級領(lǐng)導(dǎo)者吉時利儀器公司今日發(fā)布2657A高功率數(shù)字源表。2657A為吉時利2600A系列高速、精密源測量單元數(shù)字源表系列產(chǎn)品增加了高電壓功能。此系列儀器能幫助吉時利客戶分析范圍更寬的功率半導(dǎo)體器件和材料。
2012-03-29
高功率 半導(dǎo)體 吉時利 模數(shù)轉(zhuǎn)換器
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2012年LED產(chǎn)業(yè)不確定因素令市場發(fā)展微妙
由于受到近些年來全球經(jīng)濟(jì)整體的不景氣，歐洲普遍爆發(fā)的債務(wù)危機(jī)，以及多晶硅價格持續(xù)下跌，只是LED產(chǎn)業(yè)遭遇重重困境，雖然中國市場與國際市場尚未完全接軌，但是中國LED產(chǎn)業(yè)也遭遇了寒冬，整體表現(xiàn)差強(qiáng)人意。
2012-03-29
旗艦店 燈飾 燈飾品牌 LED
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TD-LTE終端產(chǎn)品市場尚未完全打開
目前中國TD-LTE終端芯片還處于起步階段，整體市場行情還未完全打開，未來還有許多潛力可以去發(fā)掘。國內(nèi)外芯片廠商市場參與熱情有限，但鑒于中國龐大的潛在市場，眾多芯片廠商也積極布局TD-LTE終端芯片市場，加緊研發(fā)TD-LTE多模終端芯片技術(shù)，擇機(jī)進(jìn)入終端芯片市場。
2012-03-29
TD-LTE 終端產(chǎn)品 產(chǎn)業(yè)鏈 產(chǎn)品
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三大運(yùn)營商“聚焦”移動互聯(lián)網(wǎng) 發(fā)展各有側(cè)重
中國移動近幾年運(yùn)營成本持續(xù)增長，2011年運(yùn)營成本3767億元，增長12.6%。其中折舊和銷售費(fèi)用占比超過50%；中國電信運(yùn)營成本增長較快，2011年運(yùn)營成本2209.12億元，同比增長12.5%，主要是銷售、一般及管理費(fèi)用的增長較快，其中移動終端銷售成本增長159.2%、移動手機(jī)補(bǔ)貼增長29.1%；中國聯(lián)通運(yùn)營成本增...
2012-03-29
移動互聯(lián)網(wǎng) 三網(wǎng)融合
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慣性感測器“左右逢源”增長率將達(dá)18.6%
隨著消費(fèi)市場對智慧型手機(jī)產(chǎn)品需求大幅提升，慣性感測器出貨量在2011~2016年的年復(fù)合成長率(CAGR)將達(dá)18.6%，但產(chǎn)品價格卻會持續(xù)下降，因此同期間的市場產(chǎn)值CAGR將達(dá)16.6%，約28億美元。愈來愈多業(yè)者開始朝整合矽感測器的功能發(fā)展，市場生態(tài)逐步改變。
2012-03-29
慣性 感測器 加速度計
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淺析MOS管擊穿的原因及解決方案
MOS管本身的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場或靜電的感應(yīng)而帶電，而少量電荷就可在極間電容上形成相當(dāng)高的電壓（U=Q/C），將管子損壞。雖然MOS輸入端有抗靜電的保護(hù)措施，但仍需小心對待，在存儲和運(yùn)輸中最好用金屬容器或者導(dǎo)電材料包裝，不要放在易產(chǎn)生靜電高壓的化...
2012-03-29
MOS管 擊穿 原因 解決方案
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- 從技術(shù)研發(fā)到規(guī)模量產(chǎn)：恩智浦第三代成像雷達(dá)平臺，賦能下一代自動駕駛！
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