【導讀】隨著全球對能源可持續(xù)性與安全性的關注升溫，住宅太陽能儲能系統(tǒng)需求持續(xù)攀升。當前市場上，2kW級微型逆變器已實現(xiàn)集成儲能功能，而更高功率場景則需依賴串式逆變器或混合串式逆變器。本文聚焦基于TI GaN FET的10kW單相串式逆變器設計，探討其技術優(yōu)勢與核心設計要點，為住宅太陽能應用提供高能效、高密度的解決方案參考。
隨著全球對能源可持續(xù)性與安全性的關注升溫，住宅太陽能儲能系統(tǒng)需求持續(xù)攀升。當前市場上，2kW級微型逆變器已實現(xiàn)集成儲能功能，而更高功率場景則需依賴串式逆變器或混合串式逆變器。本文聚焦基于TI GaN FET的10kW單相串式逆變器設計，探討其技術優(yōu)勢與核心設計要點，為住宅太陽能應用提供高能效、高密度的解決方案參考。
混合串式逆變器架構：從模塊到系統(tǒng)
典型的混合串式逆變器通過穩(wěn)壓直流母線互聯(lián)各功能模塊（圖1），核心子系統(tǒng)包括：
●單向DC/DC轉換器：執(zhí)行光伏最大功率點跟蹤（MPPT），優(yōu)化能量捕獲；
●雙向DC/DC轉換器：支持電池充放電，保障夜間或停電時的持續(xù)供電；
●DC/AC轉換器：將直流電轉換為低THD（總諧波失真）的交流電，適配電網(wǎng)需求；
●微控制器（MCU）：集成電流/電壓測量、電源開關控制、絕緣監(jiān)測及通信功能；
●電源優(yōu)化器：通過動態(tài)調整提升光伏面板輸出功率，降低外部環(huán)境（輻照度、溫度）影響。
圖 1. 連接到電網(wǎng)的混合串式逆變器的原理圖
IGBT與GaN FET的技術代際差異
傳統(tǒng)串式逆變器多采用IGBT作為功率開關，但其尾電流與二極管反向恢復特性會導致較高開關損耗，且損耗隨溫度升高進一步加劇。為控制熱管理成本，IGBT通常需在5kHz-15kHz低頻下運行，需搭配大體積無源元件與散熱器，限制了系統(tǒng)功率密度提升。
相比之下，GaN（氮化鎵）作為第三代寬帶隙半導體，無少數(shù)載流子存儲效應，可顯著降低開關損耗。實驗表明，GaN FET的開關頻率可提升至IGBT的6倍（如134kHz），在保持系統(tǒng)總損耗不變的前提下，大幅減少電感、電容等無源元件尺寸，為高密度設計提供可能。
基于GaN的10kW逆變器參考設計詳解
圖2與圖3展示了TI提供的基于GaN的10kW單相串式逆變器參考設計，其核心模塊包括：
●升壓轉換器（2路，5kW/路）：運行于134kHz，負責光伏輸入的電壓提升；
●交錯式雙向DC/DC轉換器（10kW）：工作頻率67kHz，實現(xiàn)電池與直流母線的高效能量傳遞；
●雙向DC/AC轉換器（4.6kW）：開關頻率89kHz，保障電網(wǎng)側電能質量。
圖 2. 基于 GaN 器件的 10kW 單相參考設計
關鍵器件選型與優(yōu)勢
●功率器件：采用TI LMG3522R030 GaN FET（650V/30mΩ），集成柵極驅動器，降低BOM成本并縮●小PCB尺寸；其頂部散熱設計使熱阻抗優(yōu)于底部散熱器件，提升熱管理效率。
控制核心：TMS320F28P550SJ MCU實現(xiàn)四路功率級的實時控制與保護，以電源地（GND DC–）為參考，直接驅動GaN FET（無需底部隔離柵極驅動器）。
●電流檢測：針對不同模塊需求，采用差異化方案——升壓轉換器使用INA181（負電源軌并聯(lián)檢測）；雙向DC/DC轉換器選用AMC1302（高精度隔離放大器）保障電池電流精度；DC/AC轉換器則通過TMCS1123霍爾傳感器（高帶寬、高精度）降低電網(wǎng)電流THD。
圖 3. 單相串式逆變器參考設計方框圖
實驗驗證：效率與密度的雙重突破
在350V串式輸入、160V電池電壓、230V電網(wǎng)電壓的測試條件下，參考設計在三種典型工況下均展現(xiàn)出優(yōu)異性能：
●光伏至電網(wǎng)（圖4）：效率穩(wěn)定在98%以上；
●電池至電網(wǎng)（圖5）：效率同樣達98%；
●光伏至電池（圖6）：效率保持98%水平。
圖 4. 將光伏面板輸出的電力轉換到電網(wǎng)時的效率（350VDC、230VAC）。
圖 5. 將電池輸出的電力轉換到電網(wǎng)時的效率（160VDC、230VAC）
圖 6. 將光伏面板的電力轉換到電池時的效率（350VDC、160VDC）
值得關注的是，盡管開關頻率較IGBT方案提升6倍，系統(tǒng)整體效率仍與主流IGBT方案持平，輔以輔助控制電源后，效率依舊維持高位。最終，該設計實現(xiàn)2.3kW/L的功率密度，系統(tǒng)效率達98%，充分驗證了GaN在提升能效與縮小體積方面的顯著優(yōu)勢。
結語：GaN賦能下一代儲能系統(tǒng)
基于TI GaN FET的10kW單相串式逆變器方案，通過高開關頻率、低損耗特性，成功突破了傳統(tǒng)IGBT方案在功率密度與效率間的矛盾。其集成化器件選型（如集成柵極驅動的GaN FET）、精準的電流檢測方案，為住宅太陽能儲能系統(tǒng)提供了高可靠、高性價比的選擇。隨著GaN技術的進一步成熟，其在高功率密度儲能領域的應用前景將更加廣闊。
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