
深度剖析:電路中泄放電阻保護(hù)場效應(yīng)管的緣由
發(fā)布時(shí)間:2014-12-06 責(zé)任編輯:sherryyu
【導(dǎo)讀】在設(shè)計(jì)開關(guān)電源電路時(shí)出于電路保護(hù)的目的我們一般會(huì)在柵極與源極之間加一個(gè)電阻,這是因?yàn)樗紫葹閳鲂?yīng)管提供偏置電壓,其次是起到瀉放電阻的作用來達(dá)到保護(hù)柵極G-源極S的目的。本文中我們著重解釋和分析第二個(gè)作用。
在這里我們列舉一個(gè)實(shí)際案例,根據(jù)下圖我們來進(jìn)行詳細(xì)說明:MOS管在開關(guān)狀態(tài)工作時(shí),Q1、Q2是輪流導(dǎo)通,MOS管柵極在反復(fù)充、放電狀態(tài),如果在此時(shí)關(guān)閉電源,MOS管的柵極就有兩種狀態(tài):一種是放電狀態(tài),柵極等效電容沒有電荷存儲;另一個(gè)是充電狀態(tài),柵極等效電容正好處于電荷充滿狀態(tài),如下圖a所示。雖然電源切斷,此時(shí)Q1、Q2也都處于斷開狀態(tài),電荷沒有釋放的回路,但MOS管柵極的電場仍然存在(能保持很長時(shí)間),建立導(dǎo)電溝道的條件并沒有消失。這樣在再次開機(jī)瞬間,由于激勵(lì)信號還沒有建立,而開機(jī)瞬間MOS管的漏極電源(V1)隨機(jī)提供,在導(dǎo)電溝道的作用下,MOS管立刻產(chǎn)生不受控的巨大漏極電流Id,引起MOS管燒壞。為了避免此現(xiàn)象產(chǎn)生,在MOS管的柵極對源極并接一只泄放電阻R1,如下圖b所示,關(guān)機(jī)后柵極存儲的電荷通過R1迅速釋放,此電阻的阻值不可太大,以保證電荷的迅速釋放,一般在五千歐至數(shù)十千歐左右。

電路分析示意圖
通過以上的實(shí)例分析我們可以了解到,場效應(yīng)管的G-S極間的電阻值是很大的,這樣只要有少量的靜電就能使他的G-S極間的等效電容兩端產(chǎn)生很高的電壓,如果不及時(shí)把這些少量的靜電瀉放掉,他兩端的高壓就有可能使場效應(yīng)管產(chǎn)生誤動(dòng)作,甚至有可能擊穿其G-S極;這時(shí)柵極與源極之間加的電阻就能把上述的靜電瀉放掉,從而起到了保護(hù)場效應(yīng)管的作用。灌流電路主要是針對MOS管在作為開關(guān)營運(yùn)用時(shí)其容性的輸入特性,引起“開”、“關(guān)”動(dòng)作滯后而設(shè)置的電路,當(dāng)MOS管作為其他用途,例如線性放大等應(yīng)用時(shí),就沒有必要設(shè)置灌流電路。
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