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California Micro Devices 在波士頓嵌入式系統(tǒng)大會(huì)上推出保護(hù)解決方案
California Micro Devices 將在9月22日和23日于馬薩諸塞州波士頓舉行的嵌入式系統(tǒng)大會(huì) (Embebbed Systems Conference) 上推出其廣泛的保護(hù)解決方案,包括靜電放電保護(hù)設(shè)備和電磁干擾濾波器。這些解決方案適合多種應(yīng)用,如嵌入式和工業(yè)計(jì)算以及消費(fèi)電子。
2009-09-25
保護(hù) California Micro Devices 靜電放電 電磁干擾濾波器
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泰科電子推出0201封裝雙向超低電容的SESD保護(hù)器件
泰科電子今日宣布其防靜電(ESD)保護(hù)器件產(chǎn)品線上再添三款新品。其中0201尺寸的硅基ESD(SESD)器件比上一代0402型的器件大約縮小了70%,能夠?yàn)槭謾C(jī)、MP3播放器、PDA和數(shù)碼相機(jī)等便攜式電子產(chǎn)品提供保護(hù)和提高其可靠性。
2009-09-22
防靜電 ESD 保護(hù)器件
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CM1771:CMD面向HBLED的靜電放電保護(hù)解決方案
CMD今天宣布推出了面向高功率、高亮度發(fā)光二極管 (HBLED) 照明應(yīng)用的靜電放電 (ESD) 保護(hù)和熱管理全包解決方案系列 LuxGuard的最新產(chǎn)品。
2009-09-02
HBLED 照明 LED ESD 保護(hù)器件 CM1771
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過(guò)流保護(hù)器件的浪涌測(cè)試
固態(tài)過(guò)流保護(hù)IC,比如USB和卡槽的電源開(kāi)關(guān),提供了一種簡(jiǎn)單、可靠的引腳保護(hù)方法,在生產(chǎn)測(cè)試或用戶使用不當(dāng)發(fā)生過(guò)載或短路時(shí)提供有效的系統(tǒng)保護(hù)。這些器件的保護(hù)能力并非沒(méi)有限制,本文主要討論了這些限制因素。
2009-08-28
浪涌測(cè)試
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熔斷器應(yīng)用,重點(diǎn)在選型
——AEM(蘇州)科技有限公司副總經(jīng)理鄭索平專訪AEM(蘇州)科技有限公司 副總經(jīng)理 鄭索平先生將于8月28號(hào)發(fā)表題目為《電子熔斷器的技術(shù)趨勢(shì)和選型要領(lǐng)》的演講,電子元件技術(shù)網(wǎng)對(duì)鄭先生進(jìn)行了專訪
2009-08-24
熔斷器 保險(xiǎn)電阻 XCEF
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CM1238:CMD具有20千伏靜電放電保護(hù)產(chǎn)品
California Micro Devices今天推出了 XtremeESD 系列最新靜電放電 (ESD) 裝置 CM1238。該產(chǎn)品是數(shù)字電視、液晶顯示器、筆記本電腦、機(jī)頂盒和高清 DVD 錄像機(jī)的理想選擇。
2009-08-24
XtremeESD CM1238 靜電放電保護(hù) ESD
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CM6100:CMD 面向高速串行接口的低電容靜電放電保護(hù)設(shè)備
California Micro Devices(簡(jiǎn)稱"CMD")今天宣布推出為 USB 2.0 高速接口和低壓差分信號(hào)與新興串行接口(如用在手機(jī)和其它移動(dòng)設(shè)備中的移動(dòng)產(chǎn)業(yè)處理器接口)提供雙通道15 kV 保護(hù)的低電容靜電放電 (ESD) 設(shè)備 PicoGuard CM6100。
2009-08-21
PicoGuard CM6100 ESD保護(hù)
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新一代過(guò)流保護(hù)器件制造工藝——薄膜技術(shù)
薄膜技術(shù)制造的芯片保險(xiǎn)絲在熔斷特性的穩(wěn)定性和縮窄擴(kuò)散方面具有類似的可預(yù)見(jiàn)屬性。將這一成熟技術(shù)用在下一代過(guò)流保護(hù)安全器件的制造,則功率電子設(shè)計(jì)人員在設(shè)計(jì)新產(chǎn)品時(shí)可得到更高水平的安全和性能。
2009-08-13
保險(xiǎn)絲 MFU系列 薄膜濺射技術(shù) 光刻技術(shù)
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MCM功率電源模塊EMC技術(shù)研究
對(duì)MCM功率電源而言,由于其工作在幾百kHz的高頻開(kāi)關(guān)狀態(tài),故易成為干擾源。從國(guó)外同類公司的報(bào)告及實(shí)際措施來(lái)看,解決DC/DC變換器電磁干擾主要就是滿足10kHz~10MHz電源線傳導(dǎo)發(fā)射(即國(guó)軍標(biāo)GJB151A-97中CE102)的要求。
2009-08-10
EMC
- 如何解決在開(kāi)關(guān)模式電源中使用氮化鎵技術(shù)時(shí)面臨的挑戰(zhàn)?
- 不同拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中使用氮化鎵技術(shù)時(shí)面臨的挑戰(zhàn)有何差異?
- 多通道同步驅(qū)動(dòng)技術(shù)中的死區(qū)時(shí)間納米級(jí)調(diào)控是如何具體實(shí)現(xiàn)的?
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- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall