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能源電力

大師教你如何檢測IGBT好壞簡便方法

如何來檢測IGBT好壞簡便方法？這里大師來教你：將數(shù)字萬用表撥到二極管測試檔，測試IGBT模塊c1 e1、c2 e2之間以及柵極G與 e1、 e2之間正反向二極管特性，來判斷IGBT模塊是否完好。

2014-09-23

IGBT 檢測IGBT

詳解：大功率LED芯片的辨別方法

鑒于LED燈具市場雜亂無章的市場競爭現(xiàn)狀，不少商家采取了惡性的降價大戰(zhàn)，對于消費者來說認(rèn)識LED芯片時間很少也是很困難的事情。本文就為大家詳細(xì)講解下大功率LED芯片的辨別方法解析。

2014-09-23

大功率 LED芯片

技術(shù)大爆炸：電壓雙象限Buck-Boost電路拓?fù)? title=

技術(shù)大爆炸：電壓雙象限Buck-Boost電路拓?fù)?/span>

在傳統(tǒng)全橋電路中，單象限電路被廣泛應(yīng)用。本文中詳細(xì)介紹了一款新電路，使設(shè)計的電源能更廣泛應(yīng)用在各領(lǐng)域中。本文引出雙象限的概念，并詳細(xì)解析電壓雙象限Buck、Boost、Buck-Boost電路，對開關(guān)器件關(guān)斷和開通分析。

2014-09-23

雙象限 Boost

技術(shù)大爆炸：晶體一秒變晶振，成本直降60%

通常，我們會將“晶體”(Crystal)和“晶振”(Oscillator)都叫成“晶振”，這種叫法并不恰當(dāng)。無源晶體是有兩個引腳的無極性元件。正常工作時，需要借助外部電路產(chǎn)生振蕩信號，自身并不需要單獨外加電源。而有源晶振一般有四個引腳，其內(nèi)部集成石英晶體、晶體管、電阻電容等元件。晶振是一個完整的振蕩器，...

2014-09-23

晶體晶振

一款可控制吸收電容充放電的電路圖

本文為大家講解的是一款可控制吸收電容充放電的電路圖設(shè)計，該電路設(shè)計具體情況大家可見下文。電路中，VF1是一次側(cè)主MOSFET，來自PWM集成控制器的脈沖使其通/斷工作。為使VF2的通/斷時間與VF1相反...

2014-09-23

電容充放電充放電

大師教你如何權(quán)衡降壓穩(wěn)壓器的效率及尺寸

作為一名應(yīng)用工程師，我知道降壓穩(wěn)壓器的實施不可避免地要涉及效率與尺寸的權(quán)衡。盡管這一原理適用于眾多開關(guān)模式 DC/DC 拓?fù)?，但?dāng)應(yīng)用需要低輸出電壓和高輸出電流（例如 1V 和 30A）時，這一原理就不一定適用了，因為這需要可平衡效率與尺寸的小型電源解決方案。

2014-09-23

降壓穩(wěn)壓器效率尺寸

幾種可有效開關(guān)電源的電磁干擾抑制方法

許多大學(xué)及科研單位都進(jìn)行了開關(guān)電源EMI的研究，他們中有些從EMI產(chǎn)生的機(jī)理出發(fā)，有些從EMI 產(chǎn)生的影響出發(fā)，都提出了許多實用有價值的方案。這里分析與比較了幾種有效的方案，并為開關(guān)電源EMI 的抑制措施提出新的參考建議。

2014-09-23

開關(guān)電源電磁干擾

設(shè)計分享：采用上位機(jī)與FPGA開發(fā)板的光纖通道接口適配器設(shè)計

存儲技術(shù)的日新月異推動了存儲容量的迅速增長，存儲系統(tǒng)的數(shù)據(jù)傳輸速度成為阻礙。光纖的傳輸在速度上存在優(yōu)勢，然而，在光纖傳輸被光纖通道接口限制，因此接口的設(shè)計成為光纖通道應(yīng)用于高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)囊粋€關(guān)鍵技術(shù)所在，本文對有效地解決高數(shù)據(jù)傳輸在接口處的瓶頸具有現(xiàn)實意義。

2014-09-23

FPGA 上位機(jī) 光纖通道

技術(shù)解析：基于虛擬儀器的圓盤式電流變傳動機(jī)構(gòu)的動態(tài)分析

電流變流體(ERF)是一種新型智能物質(zhì)，在高壓電場作用下，能快速實現(xiàn)液一固的轉(zhuǎn)變，且響應(yīng)速度快。研究了圓盤式電流變傳動機(jī)構(gòu)的動態(tài)特性，并采用NI虛擬儀器對機(jī)構(gòu)進(jìn)行分析、檢測和控制，通過實驗得出數(shù)據(jù)，進(jìn)而分析了輸入轉(zhuǎn)矩、輸出轉(zhuǎn)矩、轉(zhuǎn)速與所加高壓電場的關(guān)系。隨著現(xiàn)代科學(xué)技術(shù)的發(fā)展，機(jī)電一...

2014-09-23

虛擬儀器圓盤式

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