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通孔刻蝕工藝的檢測技術(shù)研究
隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)推進到更加先進的深亞微米技術(shù)，半導(dǎo)體金屬布線的層數(shù)越來越多，相應(yīng)的通孔刻蝕工藝也越多，并且伴隨著通孔的尺寸隨著器件設(shè)計尺寸逐步縮小。以DRAM制造為例，存儲量由4M發(fā)展到512M時，設(shè)計規(guī)則由1μm縮小到0.16μm，其中通孔的尺寸也從0.8μm下降到了0.25μm。通孔尺寸越小，刻蝕的...
2010-06-22
通孔刻蝕工藝 檢測技術(shù) 晶體管
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射頻封裝系統(tǒng)
在RF系統(tǒng)中，各類元件采用不同的技術(shù)制作而成，例如BBIC采用CMOS技術(shù)、收發(fā)機采用SiGe和BiCMOS技術(shù)、RF開關(guān)采用GaAs技術(shù)等。系統(tǒng)芯片(SOC)的優(yōu)勢是把所有功能整合在同一塊芯片上，但卻受到各種IC技術(shù)的限制，因此不能有效利用上述各項技術(shù)的優(yōu)勢。系統(tǒng)級封裝(SiP)可以對各種不同技術(shù)的不同電、熱和...
2010-06-22
射頻 封裝系統(tǒng) ASIC BBIC
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原子層淀積技術(shù)
ALD技術(shù)的獨特性決定了其在半導(dǎo)體工業(yè)中的運用前景十分廣泛。器件尺寸的縮小導(dǎo)致的介質(zhì)薄膜厚度的減小已超出了其物理和電學(xué)極限，同時高縱寬比在器件結(jié)構(gòu)中隨處可見。由于傳統(tǒng)的淀積技術(shù)很難滿足需求，ALD技術(shù)已充分顯示了其優(yōu)勢，為器件尺寸的繼續(xù)微縮提供了更加廣闊的空間。本文介紹原子層淀積技...
2010-06-22
原子層淀積 ALD MOCVD PVD
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產(chǎn)業(yè)巨人的投資使得德國太陽能產(chǎn)業(yè)在全球居于領(lǐng)先地位
來自全球太陽能產(chǎn)業(yè)巨人的投資使得德國光伏產(chǎn)業(yè)實現(xiàn)穩(wěn)步增長，在2009年其3.8 GW 的總裝機容量或者一半新的裝機容量，使其在這一領(lǐng)域居于世界領(lǐng)先地位。
2010-06-22
太陽能 光伏 薄膜 電池
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Microchip擴展mTouch電容式觸摸傳感技術(shù)能力
Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）宣布，推出業(yè)界第一個也是唯一的一項可以以金屬為前面板的電容式觸摸傳感技術(shù)。
2010-06-22
Microchip mTouch 電容式觸摸傳感
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Vishay推出具有超短傳播延遲的新款高速模擬光耦
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出兩款采用標(biāo)準SOP-5封裝的高速模擬光耦 --- VOM452T和VOM453T。
2010-06-22
Vishay 超短傳播延遲 模擬光耦
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LED驅(qū)動電路功率因數(shù)改善探討以及NCP1014解決方案
本參考設(shè)計將分析現(xiàn)有照明LED驅(qū)動電路設(shè)計功率因數(shù)低的原因，探討改善功率因數(shù)的技術(shù)及解決方案，介紹相關(guān)設(shè)計過程、元器件選擇依據(jù)、測試數(shù)據(jù)分享，顯示這參考設(shè)計如何輕松符合“能源之星”固態(tài)照明標(biāo)準的功率因數(shù)要求，非常適合低功率LED照明應(yīng)用。
2010-06-21
功率因數(shù) PFC NCP1014LEDGTGEVB NCP1014
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BGA封裝的焊球評測
BGA和CSP等陣列封裝在過去十年里CAGR已增長了近25%，預(yù)計還將繼續(xù)維持此增長率。同時，器件封裝更加功能化，具有更高的I/O數(shù)量，更細的節(jié)距。但是好的焊球是什么樣一個標(biāo)準，如何才能做好是很多初學(xué)者的疑問，請看本文為你的分析
2010-06-21
BGA封裝 焊球 評測 HJTECH
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可制造性設(shè)計
PCB可制造性設(shè)計分析（DFM系統(tǒng)）是一個促進生產(chǎn)力的強大工具。它能促使你在毫無損失的情況下使設(shè)計更加小型化，降低產(chǎn)品上市時間并信心十足地在全球制造趨勢中獲利受益。如果不使用DFM，則你可能面臨高成本、高風(fēng)險的巨大挑戰(zhàn)。不信，那么請仔細的閱讀本文
2010-06-21
可制造性 DFM PCB設(shè)計 新產(chǎn)品導(dǎo)入（NPI）
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