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Pwrx推出高壓大電流二極管模塊QRSB165001/QRD6565001
QRSB165001/QRD6565001二極管模塊采用帶狀，67mm二極管單元（每個(gè)模塊有2個(gè)），可提供的穩(wěn)態(tài)電流為650A，用于高電壓/電流隔離。
2010-04-20
Pwrx 高壓 大電流 二極管 QRSB165001
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分立器件低端市場(chǎng)中國(guó)企業(yè)已無差距
近年來，半導(dǎo)體基礎(chǔ)器件的二、三極管，其銷售額在世界半導(dǎo)體總銷售額中所占比重逐年下降，但是分立器件每年的銷售額仍以個(gè)位數(shù)平穩(wěn)增長(zhǎng)。國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體分立器件的發(fā)展稍好，且以每年兩位數(shù)的速度增長(zhǎng)，高于世界的增長(zhǎng)水平。由此可見，半導(dǎo)體分立器件仍有很大的發(fā)展空間
2010-04-20
分立器件 低端市場(chǎng) 無差距 銷售額 下降
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泰科電子推出符合ROHS認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)的IDC SSL連接器
日前，泰科電子宣布推出全新IDC SSL連接器，用于實(shí)現(xiàn)LED印刷電路板(PCB)上散線的快速、免工具刺破式連接。該產(chǎn)品適用于18-24 AWG的單芯及多股線，通過絕緣刺破技術(shù)消除剝線與焊接過程中繁重的人工工作
2010-04-20
泰科 ROHS認(rèn)證 標(biāo)準(zhǔn) IDC SSL連接器
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全球醫(yī)療器械產(chǎn)業(yè)分析 自動(dòng)化企業(yè)商機(jī)無限
醫(yī)療器械行業(yè)是一個(gè)多學(xué)科交叉、知識(shí)密集、資金密集型的高技術(shù)產(chǎn)業(yè)，是當(dāng)今世界發(fā)展最快、貿(mào)易往來最為活躍的產(chǎn)業(yè)之一。我國(guó)醫(yī)療器械工業(yè)總產(chǎn)值自20世紀(jì)90年代以來一直保持快速增長(zhǎng)，平均增幅一直保持在12%-15%的水平。根據(jù)醫(yī)療器械行業(yè)“十一五”規(guī)劃的預(yù)計(jì)，2010年我國(guó)醫(yī)療器械行業(yè)總產(chǎn)值將達(dá)到1000...
2010-04-20
醫(yī)療器械 自動(dòng)化 商機(jī)無限
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應(yīng)對(duì)技術(shù)挑戰(zhàn) 第四屆電路保護(hù)與電磁兼容技術(shù)研討會(huì)成功舉辦
應(yīng)對(duì)技術(shù)挑戰(zhàn) 第四屆電路保護(hù)與電磁兼容技術(shù)研討會(huì)成功舉辦
2010-04-19
應(yīng)對(duì)技術(shù)挑戰(zhàn) 第四屆電路保護(hù)與電磁兼容技術(shù)研討會(huì)成功舉辦
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2011年車燈市場(chǎng)LED尾燈成長(zhǎng)最強(qiáng)勁
由于車燈市場(chǎng)發(fā)展也進(jìn)入成熟期，先進(jìn)光源系統(tǒng)已成為車燈發(fā)展關(guān)鍵。2007年全球車燈市場(chǎng)規(guī)模132億美元，到2011年可望成長(zhǎng)到150億美元規(guī)模。其中，LED車燈市場(chǎng)規(guī)模約6.9億美元，但StrategiesUmlimited預(yù)計(jì)，到2011年全球LED車燈市場(chǎng)規(guī)模將可成長(zhǎng)到12億美元，LED車燈市場(chǎng)滲透率上看8%，年復(fù)合成長(zhǎng)率達(dá)13%。
2010-04-19
車燈市場(chǎng) LED尾燈 強(qiáng)勁 滲透率
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安華高科技推出適合固態(tài)照明應(yīng)用的超小型封裝3W高功率LED
ASMT-Jx32提供有140o的寬廣視角，可以滿足需要良好色彩一致性的設(shè)計(jì)需求，Avago的3W產(chǎn)品是一款可以處理高溫和承受高驅(qū)動(dòng)電流的高性能LED，ASMT-Jx32擁有135oC的最高結(jié)溫，為照明設(shè)計(jì)工程師帶來更高的設(shè)計(jì)靈活度。
2010-04-19
固態(tài)照明 超小型 高功率LED 安華高
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東京農(nóng)工大學(xué)開發(fā)出單層碳納米管與鈦酸鋰復(fù)合而成的鋰離子電容器
東京農(nóng)工大學(xué)研究生院于2009年3月宣布，開發(fā)出了采用碳納米纖維（CNF）與LTO復(fù)合而成的負(fù)極的鋰離子電容器，與以往的采用活性炭的雙電層電容器相比，實(shí)現(xiàn)了約3倍的能量密度。而且還表示，將完善由日本Chemi-Con定于2011年春季樣品供貨采用該技術(shù)的鋰離子電容器的體制。
2010-04-19
東京 大學(xué) 單層 碳納米管 鈦酸鋰 鋰離子電容器
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IR上市導(dǎo)通電阻僅0.95mΩ的25V耐壓功率MOSFET
據(jù)稱，該功率MOSFET的導(dǎo)通電阻與全部柵極電荷量的乘積FOM（figure of merit，優(yōu)值）為“業(yè)界最高”。全部柵極電荷量為標(biāo)準(zhǔn)50nC。最大柵源間電壓為±20V，最大漏電流為37A。批量購買1萬個(gè)時(shí)的單價(jià)為1.50美元。
2010-04-19
IR 導(dǎo)通電阻 耐壓 功率MOSFET
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