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通信廣電

使用MSO 5/6內(nèi)置AWG進行功率半導體器件的雙脈沖測試

SiC器件的快速開關特性包括高頻率，要求測量信號的精度至少達到100MHz或更高帶寬 (BW)，這需要使用額定500MHz或更高頻率的示波器和探頭。在本文中，寬禁帶功率器件供應商Qorvo與Tektronix合作，基于實際的SiC被測器件 (DUT)，描述了實用的解決方案。

2025-01-26

MSO AWG 功率半導體器件雙脈沖測試

MOS管在開關電源中的核心作用及其關鍵性能參數(shù)對設計的影響

金屬氧化物半導體場效應晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，簡稱MOSFET)是現(xiàn)代電子技術中不可或缺的元器件之一，在開關電源設計中扮演著至關重要的角色。開關電源作為現(xiàn)代電力轉(zhuǎn)換和管理的核心組件，其性能與效率在很大程度上依賴于MOS管的選擇與應用。本文將深入探討MOS管...

2025-01-25

MOS管開關電源

第14講：工業(yè)用NX封裝全SiC功率模塊

三菱電機開發(fā)了工業(yè)應用的NX封裝全SiC功率模塊，采用低損耗SiC芯片和優(yōu)化的內(nèi)部結構，與現(xiàn)有的Si-IGBT模塊相比，顯著降低了功率損耗，同時器件內(nèi)部雜散電感降低約47%。

2025-01-24

工業(yè)用 SiC 功率模塊

意法半導體榮膺 2025 年全球杰出雇主認證

服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體 (STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM) 首次被Top Employers Institute評選為2025年全球杰出雇主。

2025-01-24

意法半導體

IGBT并聯(lián)設計指南，拿下！

大功率系統(tǒng)需要并聯(lián) IGBT來處理高達數(shù)十千瓦甚至數(shù)百千瓦的負載，并聯(lián)器件可以是分立封裝器件，也可以是組裝在模塊中的裸芯片。這樣做可以獲得更高的額定電流、改善散熱，有時也是為了系統(tǒng)冗余。部件之間的工藝變化以及布局變化，會影響并聯(lián)器件的靜態(tài)和動態(tài)電流分配。

2025-01-24

IGBT 并聯(lián)設計

功率器件熱設計基礎（十三）——使用熱系數(shù)Ψth(j－top)獲取結溫信息

功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。

2025-01-24

功率器件熱設計熱系數(shù) 結溫

利用創(chuàng)新FPGA技術：實現(xiàn)USB解決方案的低功耗、模塊化與小尺寸

USB技術的開發(fā)面臨著獨特的挑戰(zhàn)，主要原因是需要在受限的設備尺寸內(nèi)實現(xiàn)穩(wěn)定互連、高速度和電源管理。各種器件兼容性問題、各異的數(shù)據(jù)傳輸速度以及對低延遲和低功耗的要求，給工程師帶來了更多壓力，他們需要在嚴格的技術限制范圍內(nèi)進行創(chuàng)新。工程師必須將USB功能集成到越來越小的模塊中，并在功能...

2025-01-24

FPGA技術 USB