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通信廣電

TJ3-HT：Vishay新型環(huán)形高溫電感器

Vishay宣布推出新型環(huán)形高電流、高溫電感器。該器件具有業(yè)內(nèi)最高額定及飽和電流以及業(yè)內(nèi)最低電感和DCR。

2008-05-16

TJ3-HT 高溫電感器

BU25/BU20/BU15/BU12/BU10：Vishay新型整流器系列

Vishay宣布推出增強型高電流密度 PowerBridge整流器的新系列，這些器件的額定電流為 10 A 至 25 A，最大額定峰值反向電壓為 600 V 至 1000 V。

2008-05-16

BU25 BU20 BU15 BU12 BU10 整流器

MAX4983E/MAX4984E：Maxim高速USB DPDT開關(guān)

Maxim推出雙刀雙擲(DPDT)模擬開關(guān)MAX4983E/MAX4984E，可切換多路480Mbps高速USB (USB 2.0)信號。器件具有極低的導(dǎo)通電阻(典型值為5Ω)和較高的帶寬(950MHz)，允許采用單個連接器實現(xiàn)高性能的切換。

2008-05-15

MAX4983E MAX4984E 高速USB (USB 2.0) DPDT開關(guān)

SMM4F：意法半導(dǎo)體超小Transil瞬變電壓抑制二極管系列

意法半導(dǎo)體推出SMM4F系列單向Transil瞬變電壓抑制二極管，新系列產(chǎn)品在三個主要方面提高性能：在小空間內(nèi)提供先進的保護功能、降低泄漏電流實現(xiàn)低損耗、結(jié)溫最大化以提升可靠性。

2008-05-15

SMM4F 二極管 diode 消費電子

SMM4F：意法半導(dǎo)體超小Transil瞬變電壓抑制二極管系列

2008-05-15

SMM4F 二極管 diode 消費電子

TR8系列：Vishay新型模塑MicroTan鉭芯片電容

Vishay宣布推出新型TR8系列模塑MicroTan鉭芯片電容，采用0805封裝的該類電容具有0.8Ω超低ESR（在100 kHz和47 μF條件下），而采用0603封裝的具有業(yè)內(nèi)最低的1.5Ω ESR值。

2008-05-14

TR8 MicroTan鉭芯片電容

STGxL6NC60D：意法半導(dǎo)體新款I(lǐng)GBT系列

意法半導(dǎo)體推出一系列新的IGBT，新系列產(chǎn)品采用高效的壽命控制工藝，有效降低了關(guān)斷期間的能耗。如果設(shè)計工程師采用ST的全新IGBT,用于工作頻率超過20kHz的照明鎮(zhèn)流器等節(jié)能型電路內(nèi)，應(yīng)用的整體功率可望提高到一個新的水平，遠勝標準技術(shù)的MOSFET。

2008-05-13

STGxL6NC60D 絕緣柵雙極晶體管 IGBT 開關(guān)電源

STGxL6NC60D：意法半導(dǎo)體新款I(lǐng)GBT系列

2008-05-13

STGxL6NC60D 絕緣柵雙極晶體管 IGBT 開關(guān)電源

ACAS 0612 AT：Vishay新型汽車精密薄膜芯片電阻陣列

日前，Vishay宣布推出ACAS 0612 AT汽車精密薄膜芯片電阻陣列，該器件已通過AEC-Q200測試，并具有1000V額定電壓的ESD穩(wěn)定性。該器件經(jīng)優(yōu)化可滿足汽車行業(yè)對溫度和濕度的新要求，同時可為工業(yè)、電信及消費電子提供較高的重復(fù)性和穩(wěn)定的性能。

2008-05-09

ACAS 0612 AT 薄膜芯片電阻陣列