產(chǎn)品特性：
- 極低的通態(tài)電阻：在10V Vgs時典型為0.5mΩ
- 比D2PAK的占位面積縮小60%，高度縮小85%
- 實現(xiàn)了改善的安全工作區(qū)（SOA）能力
- 電子保險絲及熱插拔應(yīng)用
- 高密度DC-DC應(yīng)用
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出IRF6718 DirectFET MOSFET。這款新型25V器件提供業(yè)界最低的通態(tài)電阻 (RDS(on))，并且使動態(tài)ORing、熱插拔及電子保險絲等DC開關(guān)應(yīng)用達(dá)到最佳效果。
IRF6718在新款大罐式DirectFET封裝中融入了IR新一代硅技術(shù)，提供極低的通態(tài)電阻（在10V Vgs時典型為0.5mΩ），同時比D2PAK的占位面積縮小60%，高度縮小85%。新器件大幅減少了有關(guān)旁路元件的傳導(dǎo)損耗，從而大大提高整體系統(tǒng)的效率。
IR亞洲區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“IRF6718是IR第一款采用大罐式DirectFET封裝的器件，與同類器件相比擁有更低的通態(tài)電阻，可實現(xiàn)卓越的效率及熱性能，適合于高密度DC-DC應(yīng)用，如比D2PAK尺寸更小的服務(wù)器。另外，該器件還有助于節(jié)省電路板空間及整體系統(tǒng)的成本，因為在特定功率損耗下，它比現(xiàn)有解決方案使用更少的器件。”
此外，IRF6718為電子保險絲及熱插拔電路實現(xiàn)了改善的安全工作區(qū)（SOA）能力。該器件采用無鉛設(shè)計，并符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。
IRF6718是IR針對DC開關(guān)應(yīng)用的25V DirectFET系列的衍生產(chǎn)品。IRF6717中罐式和IRF6713小罐式DirecFET也適合DC開關(guān)應(yīng)用，并且在各自的PCB尺寸內(nèi)提供業(yè)界最佳的通態(tài)電阻。
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器件編號 |
典型RDS(on) @10V (mΩs) |
典型RDS(on) @4.5V (mΩs) |
VGS (V) |
ID @ TA=25ºC (A) |
封裝面積 (mm x mm) |
典型RDS(on) @10V x 面積 (mΩ x mm2) |
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IRF6718 |
0.5 |
1.0 |
+/-20 |
61 |
7 x 9.1 |
31.9 |
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IRF6717 |
0.95 |
1.6 |
+/-20 |
38 |
4.9 x 6.3 |
29.3 |
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IRF6713 |
2.2 |
3.5 |
+/-20 |
22 |
3.8 x 4.8 |
40.1 |
上述器件的數(shù)據(jù)及應(yīng)用說明已在IR的網(wǎng)站www.irf.com提供。IR已開始接受量產(chǎn)訂單。
