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STD60N3LH5/STD85N3LH5:意法半導體新功率MOSFET系列
意法半導體推出兩款適用于直流—直流轉(zhuǎn)換器的全新功率MOSFET(金屬互補氧化物場效應晶體管)產(chǎn)品。新產(chǎn)品采用ST最新版STripFET制造技術(shù),擁有極低的導通損耗和開關(guān)損耗,在一個典型的穩(wěn)壓模塊內(nèi),兩種損耗的減少可達3瓦。
2008-02-20
MOSFET STD60N3LH5 STD85N3LH5 金屬互補氧化物場效應晶體管
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VEMI系列:Vishay 新型四通道、六通道及八通道EMI 濾波器
日前,Vishay宣布推出采用超緊湊型LLPXX13 無鉛封裝的六款新型四通道、六通道及八通道 EMI 濾波器。憑借 0.6 毫米的超薄厚度,新型 VEMI 濾波器系列可在面向移動計算、移動通信、消費類、工業(yè)及醫(yī)療應用的便攜式電子設備中節(jié)省板面空間,以及提供 ESD 保護。
2008-02-06
VEMI45AB-HNH VEMI45AC-HNH VEMI65AB-HCI VEMI85AB-HGK VEMI85AC-HGK VEMI65AC-HCI EMI 濾波器
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MotorCap P2系列:EPCOS塑料封裝緊湊設計馬達電容器
愛普科斯推出新系列節(jié)省空間的P2馬達電容器,該產(chǎn)品采用塑料封裝。對新型MotorCap P2緊湊系列來說,其電容器外殼無需再接地。借助干式技術(shù),上述元件可根據(jù)需求安裝在任何位置。根據(jù)IEC 60252-1 2001標準,預計產(chǎn)品使用壽命可達30,000小時。
2008-02-01
MotorCap P2 馬達電容器
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Vishay推出高溫應用的第5 代高性能Schottky二極管系列
日前,Vishay宣布推出適用于高溫應用的新型高性能 Schottky 二極管第 5 代硅平臺,以及具有低正向壓降、低反向漏電流和較高的最大結(jié)溫的8款新型器件。
2008-01-30
Schottky 二極管
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DG469/DG470:Vishay 新型高壓單、雙電源SPDT模擬開關(guān)
日前,Vishay推出兩款新型高壓單、雙電源單刀雙擲 (SPDT) 模擬開關(guān)。該 DG469和DG470器件是相同的,不同之處是 DG470帶有啟動引腳,該引腳可將所有開關(guān)置于高阻抗狀態(tài),從而在啟動時可保持“安全狀態(tài)”并可防止意外信號或電源短路。
2008-01-10
模擬開關(guān)
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ERU25系列:愛普科斯新型表面貼裝大功率電感器
愛普科斯(EPCOS)現(xiàn)可供應表面貼裝大功率電感器,該款電感器采用表面組裝工藝,電流能力高達71安。ERU25系列基于改進型鐵氧體磁芯與扁平矩形導線,非常適用于電信和工業(yè)電子應用中的四分之一英寸、二分之一英寸以及全橋版的低壓大電流DC/DC變換器、分布式電源系統(tǒng)以及中間總線變換器。
2008-01-07
ERU25 大功率電感器 DC/DC變換器 中間總線變換器
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NB3N3002/5573:安森美PureEdge高性能時鐘產(chǎn)生器
安森美半導體 (ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ONNN)擴展其PureEdge高性能時鐘產(chǎn)生產(chǎn)品系列,推出NB3N3002和NB3N5573這兩款新器件。
2007-12-13
NB3N3002 NB3N5573 時鐘產(chǎn)生器
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南方芯源成為Philips全球MOSFET供應商
2007年5月1日,經(jīng)過5輪審核及多次產(chǎn)品可靠性認證,Samwin正式成為Philips(Lighting Electronics)的全球MOSFET供應商。首批通過認證的產(chǎn)品有:SW P 2N60,SW P 4N60及SW P 7N60產(chǎn)品,用于Philips 原廠生產(chǎn)的螢光燈Ballast。
2007-05-07
MOSFET供應商 SW P 2N60 SW P 4N60 SW P 7N60
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