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基于89C52的二極管特性測(cè)試器的設(shè)計(jì)
利用單片機(jī)具有的智能程序控制的特點(diǎn)，設(shè)計(jì)了基于STC89C52單片機(jī)的“二極管特性測(cè)試器”，可對(duì)二極管一般特性進(jìn)行快速測(cè)試。通過(guò)穩(wěn)定線性電流源給二極管加載恒定電流，然后由高精度模數(shù)轉(zhuǎn)換器測(cè)試其壓降，以此為基礎(chǔ)可判斷二極管好壞、檢測(cè)二極管極性和測(cè)試二極管伏安特性等，避免了用萬(wàn)用表測(cè)試只能...
2011-09-28
單片機(jī) DA轉(zhuǎn)換 二極管 單模光纖
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各種晶體管的檢測(cè)方法大全
本文為大家探討了各種晶體管的檢測(cè)方法，包括常見(jiàn)的二極管、三極管的檢測(cè)方法，以及如何利用萬(wàn)用表對(duì)二極管或三級(jí)管進(jìn)行檢測(cè)等等。
2011-09-28
達(dá)林頓管 晶體管 萬(wàn)用表 大功率管
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Sitop PSU100L ：西門(mén)子隆重推出可靠穩(wěn)定的24 V 穩(wěn)壓電源用于工業(yè)供電
西門(mén)子工業(yè)自動(dòng)化集團(tuán)發(fā)布新產(chǎn)品 Sitop lite 系列電源，進(jìn)一步豐富了電源系列產(chǎn)品線，為客戶提供了更加豐富的產(chǎn)品選擇。Sitop PSU100L 采用單相輸入設(shè)計(jì)，以極具吸引力的性價(jià)比提供了電源所有重要功能。該電源系列輸出標(biāo)準(zhǔn)直流24 V，分三個(gè)功率級(jí)別，額定輸出電流分別為 2.5、5 和 10 A。此外，該款...
2011-09-28
西門(mén)子 Title 電源 Sitop lite系列 Sitop PSU100L
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高頻開(kāi)關(guān)變換器中EMI產(chǎn)生的機(jī)理及其抑制方法
開(kāi)關(guān)電源具有體積小、重量輕、效率高等特點(diǎn)，廣泛用于通信、自動(dòng)控制、家用電器、計(jì)算機(jī)等電子設(shè)備中。但是，其缺點(diǎn)是開(kāi)關(guān)電源在高頻條件下工作，產(chǎn)生非常強(qiáng)的電磁干擾（Electromagnetic Interference,EMI），經(jīng)傳導(dǎo)和輻射會(huì)污染周?chē)姶怒h(huán)境，對(duì)電子設(shè)備造成影響。本文從開(kāi)關(guān)電源的電路結(jié)構(gòu)、器件...
2011-09-27
開(kāi)關(guān)電源 高頻變壓器 開(kāi)關(guān)變換器 EMI 電磁干擾
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探索晶體管驅(qū)動(dòng)負(fù)載的技巧
在電子制作時(shí)，經(jīng)常涉及到需要控制蜂鳴器、繼電器、電機(jī)等元件，發(fā)現(xiàn)晶體管負(fù)載的不同接法，效果差別很大，有的接法甚至?xí)?dǎo)致電路工作不可靠，下面將介紹常見(jiàn)的負(fù)載驅(qū)動(dòng)電路、驅(qū)動(dòng)電路及元器件的選擇和使用進(jìn)行討論。
2011-09-27
晶體管 驅(qū)動(dòng)電路 負(fù)載
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如何正確地為太陽(yáng)能逆變器應(yīng)用選擇IGBT
如今市場(chǎng)上先進(jìn)功率元件的種類數(shù)不勝數(shù)，工程人員要為一項(xiàng)應(yīng)用選擇到合適的功率元件，的確是一項(xiàng)艱巨的工作。就以太陽(yáng)能逆變器應(yīng)用來(lái)說(shuō)，絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 能比其他功率元件提供更多的效益，其中包括高載流能力、以電壓而非電流進(jìn)行控制，并能使逆并聯(lián)二極管與IGBT配合。本文將介紹如果利用...
2011-09-27
太陽(yáng)能 逆變器 IGBT 二極管
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IQ65033QGA12系列:ARMSynQor發(fā)布ATCA電源模塊
SynQor發(fā)布了IQ65033QGA12系列ATCA電源輸入模塊，該系列產(chǎn)品支持高達(dá)12A的輸出電流，與IQ65033QMA10系列有著同樣的行業(yè)領(lǐng)先性能、封裝外形及引腳，是其高功率版本。
2011-09-27
ATCA電源 LED驅(qū)動(dòng) 電容 浪涌
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基于IGBT的固態(tài)脈沖調(diào)制器設(shè)計(jì)
隨著電力電子技術(shù)的快速發(fā)展，新型功率開(kāi)關(guān)器件IGBT(絕緣柵雙極晶體管)迅速占領(lǐng)了市場(chǎng)，滿足了人們把大功率、超高頻率開(kāi)關(guān)元件實(shí)現(xiàn)固態(tài)化的期望，有著完全取代電真空管的趨勢(shì)。這也為在雷達(dá)發(fā)射機(jī)脈沖調(diào)制器中采用IGBT作為開(kāi)關(guān)管以替代電真空管奠定了理論和實(shí)踐基礎(chǔ)。
2011-09-26
IGBT 固態(tài)脈沖調(diào)制器 脈沖調(diào)制器
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村田制作所量產(chǎn)低電阻薄型雙電層蓄電器件適用數(shù)碼相機(jī)等
村田制作所宣布，其等效串聯(lián)電阻僅為數(shù)十mΩ、厚度僅1.5mm（瞬間最大容許電壓2.7V）和3.0mm（瞬間最大容許電壓5.5V）的薄型（超薄封裝）雙電層蓄電器件已開(kāi)始量產(chǎn)。雙電層蓄電器件不是利用化學(xué)反應(yīng)，而是僅以活性炭表面離子的物理吸附存儲(chǔ)能量。不同于普通充電電池，雙電層蓄電器件除了可以半永久性...
2011-09-26
村田制作所 蓄電器件 雙電層蓄電器件 輔助電源
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