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如何使用UCC217XX實(shí)現(xiàn)高精度的溫度采樣？
UCC217XX-Q1是一系列電流隔離單通道柵極驅(qū)動(dòng)器，可用于驅(qū)動(dòng)碳化硅 MOSFET 和IGBT ，具有高級(jí)保護(hù)功能，一流的動(dòng)態(tài)性能和穩(wěn)健性。該系列隔離柵極驅(qū)動(dòng)器的主要特性介紹有：
2022-11-10
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IGBT單管數(shù)據(jù)手冊(cè)參數(shù)解析（上）
IGBT是大家常用的開(kāi)關(guān)功率器件，本文基于英飛凌單管IGBT的數(shù)據(jù)手冊(cè)，對(duì)手冊(cè)中的一些關(guān)鍵參數(shù)和圖表進(jìn)行解釋說(shuō)明，用戶可以了解各參數(shù)的背景信息，以便合理地使用IGBT。
2022-11-01
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庖丁解?？垂β势骷p脈沖測(cè)試平臺(tái)
雙脈沖測(cè)試是表征功率半導(dǎo)體器件動(dòng)態(tài)特性的重要手段，適用于各類功率器件，包括MOSFET、IGBT、Diode、SiC MOSFET、GaN HEMTs。同時(shí)，這項(xiàng)測(cè)試發(fā)生在器件研發(fā)、器件生產(chǎn)、系統(tǒng)應(yīng)用等各個(gè)環(huán)節(jié)，測(cè)試結(jié)果有力地保證了器件的特性和質(zhì)量、功率變換器的指標(biāo)和安全，可以說(shuō)是伴隨了功率器件生命的關(guān)鍵時(shí)刻。
2022-10-31
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高集成度功率電路的熱設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)
目前隨著科學(xué)技術(shù)和制造工藝的不斷發(fā)展進(jìn)步，半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展日新月異。對(duì)于功率半導(dǎo)體器件而言，其制造工藝也同樣是從平面工藝演變到溝槽工藝，功率密度越來(lái)越高。目前功率半導(dǎo)體器件不僅是單一的開(kāi)關(guān)型器件如IGBT或MOSFET器件類型，也增加了如智能功率模塊IPM等混合型功率器件類型。在IPM模塊中既集成有功率器件，還集成了驅(qū)動(dòng)器和控制電路IC，這樣的功率半導(dǎo)體器件具有更高的集成度。這種混合集成型的功率半導(dǎo)體器件其封裝結(jié)構(gòu)和傳統(tǒng)的單一功率半導(dǎo)體器件有一定的區(qū)別，因此其散熱設(shè)計(jì)和熱傳播方式也有別于傳統(tǒng)的功率半導(dǎo)體器件，會(huì)給使用者帶來(lái)更大的熱設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。
2022-10-28
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IGBT驅(qū)動(dòng)電路中的鉗位電路
在IGBT驅(qū)動(dòng)電路中有時(shí)會(huì)用到鉗位電路，其主要目的是為了保護(hù)IGBT器件，避免運(yùn)行參數(shù)超過(guò)集電極或者門極的極限參數(shù)，今天我們總結(jié)一下Vce以及Vge鉗位電路設(shè)計(jì)使用注意事項(xiàng)。
2022-10-21
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自舉電路工作原理和自舉電阻和電容的選取
在一些低成本的應(yīng)用中，特別是對(duì)于一些600V小功率的IGBT，業(yè)界總是嘗試把驅(qū)動(dòng)級(jí)成本降到最低。因而自舉式電源成為一種廣泛的給高壓柵極驅(qū)動(dòng)（HVIC）電路供電的方法，原因是電路簡(jiǎn)單并且成本低。
2022-10-19
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IGBT柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)，關(guān)鍵元件該怎么選？
如果說(shuō)人類世界當(dāng)前面臨的最緊迫危機(jī)是如何降低二氧化碳排放量，以減緩已經(jīng)造成的災(zāi)難性環(huán)境破壞以及人口損害，那么，在當(dāng)前的地球溫室氣體排放中，交通業(yè)的“貢獻(xiàn)”最大，傳統(tǒng)上它已被視為重要的污染源。
2022-10-12
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測(cè)量SiC MOSFET柵-源電壓時(shí)的注意事項(xiàng)：一般測(cè)量方法
SiC MOSFET具有出色的開(kāi)關(guān)特性，但由于其開(kāi)關(guān)過(guò)程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎(chǔ)知識(shí) SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動(dòng)作-前言”中介紹的需要準(zhǔn)確測(cè)量柵極和源極之間產(chǎn)生的浪涌。在這里，將為大家介紹在測(cè)量柵極和源極之間的電壓時(shí)需要注意的事項(xiàng)。我們將以SiC MOSFET為例進(jìn)行講解，其實(shí)所講解的內(nèi)容也適用于一般的MOSFET和IGBT等各種功率元器件，盡情參考。
2022-10-11
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IGBT適用于ZVS 還是 ZCS？
提到軟開(kāi)關(guān)技術(shù)，大家耳熟能詳?shù)挠辛汶妷洪_(kāi)通ZVS（Zero voltage switching） 和零電流關(guān)斷ZCS（Zero current switching），同時(shí)，尤其是在現(xiàn)在的電源產(chǎn)品中，絕大多數(shù)的采用軟開(kāi)關(guān)拓?fù)涞碾娫串a(chǎn)品都選擇了ZVS，而不是ZCS，所以，Si MOSFET和SiC MOSFET一直是很多同學(xué)提到ZVS時(shí)想到的主要功率器件搭檔，而不是IGBT。
2022-10-11
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采用IGBT7的1700V Econo DUAL 3模塊性能解析
半導(dǎo)體市場(chǎng)不斷推動(dòng)IGBT技術(shù)實(shí)現(xiàn)更高功率密度、魯棒性和性能水平。對(duì)于新一代IGBT而言，始終需要能夠輕松融入設(shè)計(jì)并在不同應(yīng)用中表現(xiàn)良好的產(chǎn)品。IGBT應(yīng)能助力打造出擁有優(yōu)化系統(tǒng)成本的可擴(kuò)展逆變器產(chǎn)品組合。本文通過(guò)仿真和應(yīng)用測(cè)試，對(duì)英飛凌全新TRENCHSTOP? 1700V IGBT7技術(shù)以及對(duì)應(yīng)的同類最佳900A和750A EconoDUAL? 3模塊的電氣性能和熱性能，與英飛凌IGBT4技術(shù)進(jìn)行了比較。在1700V IGBT模塊特定應(yīng)用背景下，考慮到了芯片優(yōu)化。研究結(jié)果表明，采用新型1700V IGBT7/EC7技術(shù)的模塊在大量應(yīng)用中顯著提高了功率密度。
2022-09-21
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TO-247封裝碳化硅MOSFET中引入輔助源極管腳的必要性
功率開(kāi)關(guān)器件（如MOSFET, IGBT）廣泛應(yīng)用于新能源汽車、工業(yè)、醫(yī)療、交通、消費(fèi)等行業(yè)的電力電子設(shè)備中，直接影響著這些電力電子設(shè)備的成本和效率。因此，實(shí)現(xiàn)更低的開(kāi)關(guān)損耗和更低的導(dǎo)通損耗一直是功率半導(dǎo)體行業(yè)的不懈追求。
2022-09-15
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ABB采用IGBT7的新一代高功率密度變頻器ACS180系列
變頻器是各行業(yè)中至關(guān)重要的節(jié)能設(shè)備，ABB傳動(dòng)一直致力于用先進(jìn)的產(chǎn)品和技術(shù)，創(chuàng)新的解決方案為客戶創(chuàng)造價(jià)值，提高生產(chǎn)效能水平，助力變頻器產(chǎn)業(yè)升級(jí)。
2022-09-14
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