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功率半導體的進步實現(xiàn)3級直流快速充電，解決電動汽車的里程焦慮
目前，電動汽車的使用仍受到阻礙，主要在于 “里程焦慮”問題，并且車主不愿在道路上等待數(shù)小時充電時間。然而，隨著全國各地部署越來越多的充電樁，“直流快速充電”有望將等待時間縮短至數(shù)分鐘。這些額定功率達350 kW的大功率充電樁，必須利用最新的電源轉(zhuǎn)換拓撲結(jié)構(gòu)和半導體開關(guān)技術(shù)，以盡可能提高電能效來實現(xiàn)成本效益。本文將介紹這些大功率充電樁的典型設(shè)計方法，對功率器件的一些選擇，以及最新的寬禁帶半導體可帶來的優(yōu)勢。
2021-11-03
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高功率器件驅(qū)動風向：隔離柵極驅(qū)動
D類音頻功率放大器的市場需求每年以約50%的速度增長，以高性能設(shè)備為目標應用。D類音頻放大器的高能效和低熱性等特點支持輕薄時尚的產(chǎn)品設(shè)計，大功率電源還可節(jié)省成本。D類放大器滿足小尺寸、低功耗、高音頻輸出的市場主流需求，從而成為音頻類產(chǎn)品的中堅力量。
2021-11-03
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通用汽車與Wolfspeed達成戰(zhàn)略供應商協(xié)議，在通用汽車未來電動汽車計劃中采用SiC
2021年10月11日，美國密歇根州底特律市和北卡羅來納州達勒姆市訊 – 通用汽車（NYSE: GM）和 Wolfspeed, Inc.（NYSE: WOLF）于近日宣布達成一項戰(zhàn)略供應商協(xié)議，約定 Wolfspeed 為通用汽車的未來電動汽車計劃開發(fā)并提供碳化硅（SiC）功率器件解決方案。Wolfspeed SiC 器件將賦能通用汽車安裝更高效的電動汽車動力系統(tǒng)，從而擴大其快速完善的電動汽車產(chǎn)品組合范圍。
2021-10-11
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什么情況下應該從硅片轉(zhuǎn)換到寬帶隙技術(shù)？
自從寬帶隙 (WBG) 器件誕生以來，為功率變換應用帶來了一股令人激動的浪潮。但是，在什么情況下從硅片轉(zhuǎn)換到寬帶隙技術(shù)才有意義呢？迄今為止，屏蔽柵極 MOSFET、超級結(jié)器件和 IGBT等基于硅的功率器件已經(jīng)很好地在業(yè)界得到大規(guī)模應用。這些器件在品質(zhì)因數(shù) (FoM) 方面不斷改進，加上在拓撲架構(gòu)和開關(guān)機理等方面的進步，使工程師能夠?qū)崿F(xiàn)更高的系統(tǒng)效率。
2021-09-15
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通過AC整流橋上的有源開關(guān)提高效率
提高電源轉(zhuǎn)換效率和功率密度一直是電源行業(yè)的首要目標，在過去十年中，更因功率器件、拓撲結(jié)構(gòu)和控制方案的發(fā)展而取得長足的進步。超結(jié)MOSFET、SiC二極管以及最新GaN FET的發(fā)展，確保了更高頻率下的更高開關(guān)效率；同時，高級拓撲及其相應控制方案的實現(xiàn)也在高速發(fā)展。因此，平衡導通損耗與開關(guān)損耗以實現(xiàn)最佳工作點，現(xiàn)在已完全可以實現(xiàn)。
2021-09-10
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X-FAB與派恩杰達成長期戰(zhàn)略合作，共同推動全球SiC產(chǎn)業(yè)發(fā)展
2021年9月6日，模擬晶圓代工龍頭企業(yè)X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）和國產(chǎn)SiC功率器件供應商派恩杰聯(lián)合對外宣布，雙方就批量生產(chǎn)SiC晶圓建立長期戰(zhàn)略合作關(guān)系，此前雙方已經(jīng)合作近三年時間。
2021-09-06
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羅姆為電動汽車充電樁打造高效解決方案
全球能源短缺和大氣污染問題日益嚴峻，汽車產(chǎn)業(yè)綠色低碳發(fā)展已成為降低全社會碳排放、增強國家競爭力的有效手段。作為領(lǐng)先的功率半導體廠商之一，羅姆一直致力于技術(shù)創(chuàng)新，研發(fā)各種高效、高品質(zhì)的功率器件，為大功率智能充電站提供安全可靠的解決方案，在支持綠色出行的同時助力全面低碳社會的可持續(xù)發(fā)展。
2021-08-26
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IGBT模塊及散熱系統(tǒng)的等效熱模型
功率器件作為電力電子裝置的核心器件，在設(shè)計及使用過程中如何保證其可靠運行，一直都是研發(fā)工程師最為關(guān)心的問題。功率器件除了要考核其電氣特性運行在安全工作區(qū)以內(nèi)，還要對器件及系統(tǒng)的熱特性進行精確設(shè)計，才能既保證器件長期可靠運行，又充分挖掘器件的潛力。
2021-08-23
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非隔離型柵極驅(qū)動器與功率元器件
ROHM不僅提供電機驅(qū)動器IC，還提供適用于電機驅(qū)動的非隔離型柵極驅(qū)動器，以及分立功率器件IGBT和功率MOSFET。我們將先介紹羅姆非隔離型柵極驅(qū)動器，再介紹ROHM超級結(jié)MOSFET PrestoMOSTM。
2021-08-05
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碳化硅如何為電機驅(qū)動賦能
近年來，電力電子領(lǐng)域最重要的發(fā)展是所謂的寬禁帶（WBG）材料的興起，即碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）。WBG材料的特性有望實現(xiàn)更小、更快、更高效的電力電子產(chǎn)品。WBG功率器件已經(jīng)對從普通的電源和充電器到太陽能發(fā)電和能量存儲的廣泛應用和拓撲結(jié)構(gòu)產(chǎn)生了影響。SiC功率器件進入市場的時間比氮化鎵長，通常用于更高電壓、更高功率的應用。
2021-08-05
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電動汽車快速充電系列文章之三：常見拓撲結(jié)構(gòu)和功率器件及其他設(shè)計考慮因素
在上一節(jié)中，已經(jīng)介紹了快速DCEV充電基礎(chǔ)設(shè)施的標準配置，以及未來可能的典型基礎(chǔ)設(shè)施。下面介紹當今快速DCEV充電器中使用的典型電源轉(zhuǎn)換器拓撲結(jié)構(gòu)和AC-DC和DC-DC的功率器件的概況。
2021-08-03
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SiC功率器件篇之SiC SBD
SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD（肖特基勢壘二極管）結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。
2021-05-20
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