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無刷直流 (BLDC) 電機設計：新起點
無刷直流電機(BLDC)設計很復雜。在大量的MOSFET、IGBT和門極驅動器產(chǎn)品組合中開始選擇電子器件(舊的起點) 是茫然無助的。
2021-10-22
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IGBT換流回路中雜散電感的測量
換流回路中的雜散電感會引起波形震蕩，EMI或者電壓過沖等問題。因此在電路設計的時候需要特別留意。本文給出了電路雜散電感的測量方法以及模塊數(shù)據(jù)手冊中雜散電感的定義方法。
2021-10-14
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什么情況下應該從硅片轉換到寬帶隙技術？
自從寬帶隙 (WBG) 器件誕生以來，為功率變換應用帶來了一股令人激動的浪潮。但是，在什么情況下從硅片轉換到寬帶隙技術才有意義呢？迄今為止，屏蔽柵極 MOSFET、超級結器件和 IGBT等基于硅的功率器件已經(jīng)很好地在業(yè)界得到大規(guī)模應用。這些器件在品質(zhì)因數(shù) (FoM) 方面不斷改進，加上在拓撲架構和開關機理等方面的進步，使工程師能夠實現(xiàn)更高的系統(tǒng)效率。
2021-09-15
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仿真看世界之650V混合SiC單管的開關特性
英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管，取代了傳統(tǒng)Si的Rapid1快速續(xù)流二極管，配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5)，進一步優(yōu)化了系統(tǒng)效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2021-09-08
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大功率晶閘管參數(shù)解析之開關特性
功率二極管晶閘管廣泛應用于AC/DC變換器、UPS、交流靜態(tài)開關、SVC和電解氫等場合，但大多數(shù)工程師對這類雙極性器件的了解不及對IGBT的了解，為此我們組織了6篇連載，包括正向特性，動態(tài)特性，控制特性，保護以及損耗與熱特性。內(nèi)容摘自英飛凌英文版應用指南AN2012-01《雙極性半導體技術信息》。
2021-09-08
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板子上的MOSFET莫名炸機，多半是這個原因！
MOSFET、IGBT是開關電源最核心也是最容易燒壞的器件！其原因大多是過壓或過流導致功耗大增，從而使器件損壞，甚至可能會伴隨爆炸。而SOA安全工作區(qū)測試，就是保障其安全工作的重要測試項目！
2021-09-07
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仿真看世界之IPOSIM的散熱器熱阻Rthha解析
如何評估IGBT模塊的損耗與結溫？英飛凌官網(wǎng)在線仿真工具IPOSIM，是IGBT模塊在選型階段的重要參考。這篇文章將針對IPOSIM仿真中的散熱器熱阻參數(shù)Rthha，給大家做一些清晰和深入的解析。
2021-09-05
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IGBT模塊及散熱系統(tǒng)的等效熱模型
功率器件作為電力電子裝置的核心器件，在設計及使用過程中如何保證其可靠運行，一直都是研發(fā)工程師最為關心的問題。功率器件除了要考核其電氣特性運行在安全工作區(qū)以內(nèi)，還要對器件及系統(tǒng)的熱特性進行精確設計，才能既保證器件長期可靠運行，又充分挖掘器件的潛力。
2021-08-23
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利用SiC FET降低電磁干擾和開關損耗
器件緩沖似乎是處理開關過沖、振鈴和損耗的一種“野蠻”解決方案，而這對于諸如IGBT之類較老的技術來說確實如此。但是，寬禁帶器件，尤其是SiC FET，可以將該技術用為柵極電阻調(diào)諧的優(yōu)良替代方案，以提供較低的總損耗。
2021-08-20
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大功率晶閘管參數(shù)解析之正向特性
功率二極管晶閘管廣泛應用于AC/DC變換器、UPS、交流靜態(tài)開關、SVC和電解氫等場合，但大多數(shù)工程師對這類雙極性器件的了解不及對IGBT的了解，為此我們組織了6篇連載，包括正向特性，動態(tài)特性，控制特性，保護以及損耗與熱特性。
2021-08-16
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IGBT驅動器的電流隔離
通常，以以下方式描述IGBT（絕緣柵雙極晶體管）：“ IGBT是場效應晶體管和雙極晶體管的組合，其中N溝道FET控制雙極晶體管”。盡管這句話很好地描述了基礎知識，但在高功率范圍的IGBT應用中，IGBT控制電路的復雜性實際上要比控制小MOSFET時要高得多。
2021-08-13
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非隔離型柵極驅動器與功率元器件
ROHM不僅提供電機驅動器IC，還提供適用于電機驅動的非隔離型柵極驅動器，以及分立功率器件IGBT和功率MOSFET。我們將先介紹羅姆非隔離型柵極驅動器，再介紹ROHM超級結MOSFET PrestoMOSTM。
2021-08-05
- 差分振蕩器設計的進階之路：性能瓶頸突破秘籍
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