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SiZ300DT|SiZ910DT：Vishay擴充雙芯片不對稱功率MOSFET家族
Vishay Siliconix擴充PowerPAIR?雙芯片不對稱功率MOSFET家族，新的25V和30V器件大大簡化了高效DC/DC轉(zhuǎn)換器的設(shè)計
2011-11-15
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Vishay發(fā)布采用SurfLight表面發(fā)射器技術(shù)的850nm紅外發(fā)射器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出兩款采用該公司的SurfLight表面發(fā)射器技術(shù)制造的850nm紅外(IR)發(fā)射器--- VSMY7852X01和VSMY7850X01，擴大其光電子產(chǎn)品組合。VSMY7852X01和VSMY7850X01采用高功率Little Star?封裝，占位為6.0mm x 7.0mm x1.5mm，具有超群的高驅(qū)動電流、發(fā)光強度和光功率，同時具有低熱阻系數(shù)。
2011-11-11
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VBUS54ED-FBL：Vishay推出超小尺寸4線總線端口保護(hù)陣列用于便攜產(chǎn)品
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用新型超小尺寸LLP2510封裝的新款4線ESD保護(hù)陣列---VBUS54ED-FBL。VBUS54ED-FBL的占位面積只有2.5mmx1.0mm，高度低至0.55mm，其低電容和低泄漏電流的特性可以保護(hù)高速信號線免受瞬態(tài)電壓信號的損害。
2011-11-08
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P13L：Vishay發(fā)布壽命長達(dá)2百萬次、適用于極端環(huán)境的新款面板式電位計
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款金屬陶瓷面板式電位計---Sfernice P13L，這種電位計的壽命長達(dá)2百萬次，全I(xiàn)P67密封使其能夠在極端的環(huán)境條件下可靠工作。
2011-11-07
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Vishay Siliconix推出通過JAN認(rèn)證的軍用級N溝道功率MOSFET
Vishay Siliconix推出通過JAN認(rèn)證的軍用級N溝道功率MOSFET采用密封TO-205AD封裝的軍用級器件具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)性能。
2011-11-02
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VLMx233..系列：Vishay推出超小SMD封裝的功率型Mini LED用于汽車
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出一系列采用超小2.3mm x 1.3mm x 1.4mm SMD封裝的功率型Mini LED---VLMx233..系列。該系列器件具有大紅、紅色、琥珀色、淺桔色和黃色等幾種顏色，采用最先進(jìn)的AllnGaP技術(shù)，使光輸出增加了3倍，并通過針對汽車應(yīng)用AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證。
2011-10-28
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Vishay推出CNY64ST和CNY65ST高壓隔離光耦
Vishay 宣布，推出業(yè)界首款采用表面貼裝封裝的CAT IV高壓隔離光耦---CNY64ST和CNY65ST，擴充其光電子產(chǎn)品組合。CNY64ST和CNY65ST系列產(chǎn)品通過了國際安全監(jiān)管機構(gòu)VDE的認(rèn)證，具有長爬電距離和高隔離測試電壓，可保護(hù)在類似太陽能發(fā)電和風(fēng)電機組的電網(wǎng)連接等高壓環(huán)境中的工人和設(shè)備?，F(xiàn)在，希望在產(chǎn)品中全面使用表面貼裝元器件以實現(xiàn)靈活生產(chǎn)的客戶可以使用CNY64ST和CNY65ST，這兩款器件填補了現(xiàn)有CNY6x系列通孔器件在封裝形式上的空白。
2011-10-26
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Si8802DB|Si8805EDB：Vishay推出業(yè)內(nèi)最小N溝道和P溝道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出業(yè)內(nèi)采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片級封裝的N溝道和P溝道功率MOSFET---Si8802DB和Si8805EDB。8V N溝道Si8802DB和P溝道Si8805EDB TrenchFET?功率MOSFET所用的MICRO FOOT?封裝的占板面積比僅次于它的最小芯片級器件最高可減少36%，而導(dǎo)通電阻則與之相當(dāng)甚至更低。
2011-10-21
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DG92xx系列：Vishay推出新款CMOS模擬開關(guān)和多路復(fù)用器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款可使用2.7V～16V單電源或±2.7V～±8V雙電源工作的新器件，充實其DG92xx系列CMOS模擬開關(guān)和多路復(fù)用器。新器件具有工作電壓范圍寬、小封裝尺寸和兼容低電壓邏輯的特點，可用于高速、高精度開關(guān)應(yīng)用。
2011-10-18
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Vishay Siliconix發(fā)布6款采用超小尺寸封裝的新型低電壓模擬開關(guān)
Vishay Siliconix發(fā)布6款采用超小尺寸封裝的新型低電壓模擬開關(guān)賓夕法尼亞、MALVERN — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出6款新型采用節(jié)省空間的TDFN和MSOP表面貼裝封裝的低電壓、高精度雙路單刀單擲(SPST)模擬開關(guān)--- DG721/2/3和DG2537/8/9。這些器件具有低功率損耗和低開關(guān)噪聲的性能，有利于改善信號完整性和提高系統(tǒng)精度
2011-10-17
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E系列：Vishay推出超低最大導(dǎo)通電阻600V和650V n溝道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新系列600V和650V n溝道功率MOSFET---E系列器件。新產(chǎn)品在10V下具有64mΩ～190mΩ的超低最大導(dǎo)通電阻，以及22A～47A的額定電流范圍。
2011-10-14
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Vishay的SiR662DP功率MOSFET獲《今日電子》Top10 DC/DC電源產(chǎn)品獎
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其SiR662DP 60V n溝道TrenchFET?功率MOSFET被《今日電子》雜志評為第九屆年度Top-10 DC/DC電源產(chǎn)品獎的獲獎產(chǎn)品。
2011-10-11
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