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IGCT門極驅動電路的原理分析
在目前的中電壓大功率應用領域，占主導地位的功率半導體器件有晶閘管、GTO和IGBT等，這些傳統(tǒng)的功率器件在實用方面都存在一些缺陷。ABB半導體公司率先提出了一種新型功率半導體器件—IGCT。它的關鍵思想是將改進結構的GTO與反并聯(lián)二極管和門極驅動電路集成在一起，再與其門極驅動器在外圍以低電感方式連接。在性能上明顯優(yōu)于目前廣泛使用的GTO和IGBT器件。著重對IGCT門極驅動電路的結構和原理進行了介紹和分析。
2008-10-14
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IGBT驅動電路M57962L的剖析
IGBT是一種新型功率器件，即絕緣柵極雙極集體管(Isolated GateBipolar Transistor)，是上世紀末出現(xiàn)的一種復合全控型電壓驅動式電力電子器件。它將GTR和MOSFET的優(yōu)點集于一身：輸入阻抗高，開關頻率高，工作電流大等，在變頻器、開關電源，弧焊電源等領域得到廣泛地應用。M57962L采用+15V、- 10V雙電源供電，由于采用- 10V關斷電壓，能更可靠關斷，同時具有封閉性軟關斷功能，從而使IGBT更加安全的工作。
2008-10-11
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汽車電子功率MOSFET
過去，選擇60V還是55V往往是最大的設計問題之一，而經(jīng)過數(shù)年的發(fā)展，如今汽車內部的功率器件和設計考慮事項在廣度方面已取得了長足的進步。隨著電子系統(tǒng)針對娛樂、儀表板、動力傳動控制、安全性、車廂和穩(wěn)定性控制以至車身及便利性控制等不斷發(fā)展，一般汽車中的功率器件數(shù)目已是數(shù)以百計，并且正在急劇增加之中。選擇正確的器件現(xiàn)已成為一項艱巨的挑戰(zhàn)，需面對許多不同的技術選項，以達致所需的性能和成本目標。
2008-09-28
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中國功率器件市場增速放緩MOSFET是亮點
在中國中，電源|穩(wěn)壓器管理IC仍舊占據(jù)市場首要位置，MOSFET位于第二位，大功率晶體管位于第三位，此三大產(chǎn)品銷售額占整體市場的80%以上。IGBT銷售額雖然不大，但隨著其在工業(yè)控制、消費電子領域中應用的不斷增多，其市場銷售額保持著較快的增長，是中國功率器件市場中的新興產(chǎn)品。
2008-09-24
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電子元器件：終端市場未來價格壓力加大
半導體：08年上半年國內集成電路產(chǎn)業(yè)收入增長10.4％，增速創(chuàng)近5年來的新低，2007年全球分立式功率器件和模塊市場增長9.3％，未來五年年均增長8-9％。
2008-09-24
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電子元件技術網(wǎng)互動精彩回放
本期《電子元件技術網(wǎng)互動精彩回放》的內容，是網(wǎng)友在線互動的濃縮，其中有電路保護專家、電源模塊專家、功率器件專家的精彩解答，也有業(yè)內資深工程師的實踐經(jīng)驗，同樣還有電子元件技術網(wǎng)CEO和各位分析師的話......
1970-01-01
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