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【拆解】變頻器IGBT模塊拆解學(xué)習(xí)
都知道IGBT是由BJT和MOS組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件，綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。在較高頻率的大、中功率應(yīng)用中占據(jù)了主導(dǎo)地位。筆者此次從變頻器中拆得一個(gè)IGBT模塊，估計(jì)看過的人不多，特拿來與大家分享學(xué)習(xí)。
2013-08-15
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IGBT電路保護(hù)新方法：將穩(wěn)壓管換為新型TVS
目前IGBT基本都采用粗放式的設(shè)計(jì)模式——所需余量大系統(tǒng)大，但無法抵抗干擾和失效問題。如何突破傳統(tǒng)的保護(hù)方式，進(jìn)行IGBT系統(tǒng)電路保護(hù)設(shè)計(jì)？本文對傳統(tǒng)IGBT失效防護(hù)進(jìn)行改進(jìn)，使用新方法進(jìn)行IGBT失效防護(hù)和柵極過電壓、過電流防護(hù)。
2013-08-13
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隔離驅(qū)動IGBT功率器件設(shè)計(jì)技巧八大問
IGBT，Power MOSFET和Bipolar Power Transistor等功率器件，都需要有充分的保護(hù)以避免欠壓、米勒效應(yīng)、缺失飽和、過載、短路造成的損害。本文通過Avago參與的八大問答討論隔離驅(qū)動IGBT等功率器件的技巧。
2013-08-13
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IGBT應(yīng)用常見問題及解決方法匯總
IGBT作為新型的電力電子器件，得到了非常廣泛的應(yīng)用。隨著電力電子技術(shù)的高頻大功率化發(fā)展，IGBT在應(yīng)用中存在的問題越來越突出，本文就IGBT應(yīng)用中的常見問題進(jìn)行分析，并給出了常用的解決方法。
2013-08-10
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解讀各種IGBT驅(qū)動電路和IGBT保護(hù)方法
保證IGBT的可靠工作，驅(qū)動電路起著至關(guān)重要的作用，本文討論IGBT驅(qū)動電路和IGBT的保護(hù)，包括驅(qū)動電路EXB841/840、M57959L/M57962L厚膜驅(qū)動電路、2SD315A集成驅(qū)動模塊、IGBT短路失效機(jī)理和IGBT過流保護(hù)方法。
2013-08-08
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IGBT功率放大電路的三種保護(hù)方法
基于IGBT的大功率開關(guān)放大電路運(yùn)行時(shí)功率大、電壓高，常受到容性或感性負(fù)載的沖擊，加之IGBT的耐電應(yīng)力沖擊能力差，因此，設(shè)計(jì)IGBT功率放大電路的保護(hù)電路是非常有必要的。本文提出的三種不同形式的電路，完全滿足IGBT器件的保護(hù)需求。
2013-08-07
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提升IGBT開關(guān)速度的小技巧
IGBT關(guān)斷損耗大、拖尾嚴(yán)重制約了其在高頻運(yùn)用的發(fā)展，而造成IGBT延遲開和關(guān)的原因主要有兩方面。本文將分別針對這兩方面，提出相應(yīng)的解決方法，解決器件拖尾問題，提升IGBT開關(guān)速度。
2013-08-06
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IGBT如何選型？四大步輕松搞定！
IGBT是逆變器的主要功率開關(guān)器件，也是逆變器中主要工作器件，逆變技術(shù)對IGBT的參數(shù)要求并不是一成不變的，對開關(guān)器件的IGBT的要求各不相同，因而IGBT正確選擇與使用尤為重要。
2013-08-06
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通俗易懂講解IGBT的工作原理和作用
本文通過等效電路分析，通俗易懂的講解IGBT的工作原理和作用，并精簡的指出了IGBT的特點(diǎn)。可以說，IGBT是一個(gè)非通即斷的開關(guān)，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。
2013-08-05
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IGBT主要供應(yīng)商和分銷商大盤點(diǎn)
由于工業(yè)與消費(fèi)領(lǐng)域的需求增長，中國絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)市場未來幾年將快速增長。需求擺在這里，IGBT要從哪里采購呢？本文盤點(diǎn)了IGBT主要供應(yīng)商和分銷商，包括Top 15海外供應(yīng)商和Top 8國內(nèi)供應(yīng)商。
2013-08-05
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八大步驟輕松搞定IGBT選型
提高IGBT的導(dǎo)通效率往往需要付出代價(jià)：IGBT通常具備相對較高的開關(guān)損耗，這可降低應(yīng)用開關(guān)頻率。面對眾多的IGBT產(chǎn)品，選擇的正確與否決定著你得到的電氣性能和成本。應(yīng)該如何選型？八大步驟，輕松搞定。
2013-08-03
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Vishay開發(fā)出可承受1850A電流尖峰沖擊的緩沖電容
中高功率逆變器中的IGBT切換時(shí)會引起很大的電壓和電流尖峰，這種尖峰是導(dǎo)致嚴(yán)重EMI的重要原因。Vishay最新開發(fā)的緩沖電容可承受2500V/μs的高能脈沖和1850A的峰值電流，壽命超過30萬小時(shí)，可耐105℃高溫。
2013-07-20
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