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1200V IGBT技術平臺，提供適合工業(yè)應用的基準效率
IR 推出第八代 1200V IGBT技術平臺，新技術針對電機驅動應用提供更好的軟關斷功能，有助于把dv/dt降到最低，從而減少電磁干擾、抑制過壓，提供適合工業(yè)應用的基準效率和耐用性。
2012-11-20
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安森美推出系列的高性能工業(yè)應用IC新產品
安森美半導體擴充高性能工業(yè)IC的廣泛產品陣容，先進全新的VLDO、GFI控制器、KNX收發(fā)器及IGBT方案彰顯公司的產品陣容實力和深度。高能效創(chuàng)新的安森美半導體持續(xù)推動高性能工業(yè)集成電路(IC)方案的電源管理。最新器件提供高度強固性，應用于寬工作溫度范圍，性能突出，同時以極低能耗工作。
2012-11-16
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利用DC/DC電源并聯(lián)技術設計大功率直流電源
隨著電力電子技術的發(fā)展，很多場合需要大功率大電流的直流電源。本文基于IGBT器件，利用DC/DC電源并聯(lián)技術設計大功率直流電源。該電源可用作EAST托卡馬克裝置中的大功率垂直位移快速控制直流電源。對該電源裝置進行了仿真和實驗，獲得了較為滿意的動靜態(tài)性能。
2012-11-12
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9款高能效溝槽型場截止IGBT
安森美擴充高性能溝槽型場截止IGBT陣容，推出9款新的高能效方案。這些新器件提升系統(tǒng)總體開關能效，降低功率耗散，且提升系統(tǒng)可靠性，能為工程師在應用其電源系統(tǒng)設計時提供更豐富的選擇。
2012-11-11
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安森美半導體新增九種高性能溝槽型場截止IGBT
安森美半導體擴充NGBTxx系列1,200伏(V)溝槽型場截止(FS) 絕緣門雙極晶體管(IGBT)器件，推出9款新的高能效方案，提升系統(tǒng)總體開關能效，降低功率耗散，且提升系統(tǒng)可靠性，這些產品中包含專門針對太陽能及不間斷電源(UPS)應用高性能電源轉換的器件。
2012-10-25
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英飛凌擴展第三代逆導IGBT產品組合
英飛凌科技股份有限公司擴展其第三代逆導 （RC） 軟切換絕緣閘雙極性電晶體 （IGBT） 產品系列，推出 30A和40A電流的1200V 和1350V型產品，以因應市場對高可靠性的持續(xù)需求。
2012-10-25
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用IGBT實現(xiàn)高壓大功率變頻器
目前，高壓大功率變頻器是一個十分重要的應用領域。而基于IGBT的變頻器其功率等級最大多在5000kw左右，功率在10000kw及以上的高壓變頻器用IGBT就難以實現(xiàn)。目前，ABB等國際大公司均推出了基于IGBT的三電平變頻器。但在高壓大功率應用條件下，三電平技術的可靠性在國內還有待于提高。此外，高壓大功率變頻器的性能試驗也是一個難題。
2012-10-25
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具有2.5A輸出電流的智能IGBT光電耦合驅動器
飛兆半導體開發(fā)了一款先進的具有2.5A輸出電流能力的智能IGBT光電耦合驅動器產品，此器件具有一個集成式的柵極驅動光電耦合器，其備有低RDS(ON) CMOS晶體管，能助力實現(xiàn)IGBT的軌至軌驅動，適用于驅動功率IGBT和MOSFET的快速開關。
2012-10-22
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設計EPS應急電源必須考慮的要素
EPS應急電源可以說是近兩年才迅猛發(fā)展起來的一個新興產業(yè)，相比于發(fā)展成熟的UPS而言，有相同之處，也有不同之處。其相同點在于都具備在市電故障(中斷)情況下繼續(xù)向負載提供交流電源的功能，均采用了IGBT逆變技術和脈寬調制(PWM)技術。
2012-10-22
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針對家電電機驅動應用的600V超高速溝道IGBT
IR公司新推出600V超高速溝道IGBT，該器件可大幅降低開關與導通損耗，在更高頻率下可提升功率密度和效率。并具有6A額定電流及不小于 5μs的最低短路額定值，適用于廣泛的開關頻率，最高達20kHz。
2012-10-19
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導通損耗降低20%的新一代1200V IGBT
Microsemi擴展其NPT IGBT產品系列，發(fā)布三款1200V IGBT新產品。相比競爭產品，柵極電荷(Qg)顯著減少，具有更快的開關性能，總體開關和導通損耗顯著降低20%或更多。些IGBT器件設計用于大功率的高性能開關模式產品，比如電焊機、太陽能逆變器和不間斷開關電源。
2012-09-13
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發(fā)力電機驅動應用，飛兆半導體推最新IGBT
此次，飛兆半導體借助最新款帶短路功能的IGBT，提高電機驅動效率和可靠性。600V IGBT提供5A至15A的電流額定值，通過低VCE(sat)額定值能夠最大限度地減少功率損耗，滿足嚴格的能效指標。
2012-09-10
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