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技術(shù)文章

士蘭微電子推出F-Cell系列第四代MOSFET產(chǎn)品用于LED 照明

士蘭微電子近期推出了新一代高壓MOSFET產(chǎn)品——F-Cell系列高壓MOSFET。這是士蘭微電子自主研發(fā)所推出的第四代平面結(jié)構(gòu)高壓MOSFET產(chǎn)品，工作電壓可以覆蓋400V—900V區(qū)間，工作電流在1A—18A之間，可以兼容多晶穩(wěn)壓管結(jié)構(gòu)以提高 ESD特性；具有高可靠性，高效率，高EAS能力，導(dǎo)通電阻低，動(dòng)態(tài)參數(shù)優(yōu)等特點(diǎn)...

2011-04-01

士蘭微 MOSFET 平面結(jié)構(gòu)高壓MOSFET

日系中小尺寸面板轉(zhuǎn)單可望Q2-Q3顯現(xiàn)

受到日本地震及限電等因素影響，日本中小尺寸面板大廠包括NEC、HITACHI、 TOSHIBA近期產(chǎn)能受挫，預(yù)料最快要等到4月份以后才會(huì)陸續(xù)復(fù)工。但因下半年就是傳統(tǒng)旺季，市場(chǎng)預(yù)期，這可能將使部份日系中小尺寸面板訂單，轉(zhuǎn)移外包到臺(tái)灣面板廠，可望對(duì)臺(tái)系中小尺寸面板供貨商第二季到第三季業(yè)績(jī)表現(xiàn)，帶來正...

2011-04-01

日系中小尺寸面板日系面板日系中小尺寸面板轉(zhuǎn)單

SiR640DP/SiR662DP:Vishay Siliconix推出新款N溝道功率MOSFET

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，發(fā)布新款40V和60V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP。兩款器件采用SO-8或PowerPAK? SO-8封裝，具有業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻，以及最低的導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積，即優(yōu)值系數(shù)。

2011-04-01

溝道功率 MOSFET 導(dǎo)通電阻

Mouser Electronics加入Ioxus分銷網(wǎng)絡(luò)

面向運(yùn)輸、代用能源、醫(yī)療、工業(yè)和消費(fèi)類產(chǎn)品市場(chǎng)的高性能超級(jí)電容技術(shù)開發(fā)商Ioxus公司今天宣布全球半導(dǎo)體和電子元器件工程設(shè)計(jì)供應(yīng)商Mouser Electronics公司已加入Ioxus分銷網(wǎng)絡(luò)。通過這項(xiàng)全球協(xié)議，Mouser會(huì)將Ioxus的所有產(chǎn)品推向各個(gè)國家和地區(qū)。Ioxus會(huì)向 Mouser提供營(yíng)銷與技術(shù)支持，以便滿足全...

2011-04-01

Mouser Electronics Ioxus分銷 Ioxus分銷網(wǎng)絡(luò)

我國光伏業(yè)“十二五”規(guī)劃目標(biāo)有望翻番

從多位消息人士處獲悉，我國光伏業(yè)“十二五”規(guī)劃目標(biāo)有望比原定計(jì)劃翻番，即從原計(jì)劃到2015年實(shí)現(xiàn)光伏裝機(jī)達(dá)到5GW(500萬千瓦)提升到10GW。目前，該目標(biāo)尚在行業(yè)討論中，業(yè)界專家表示，目標(biāo)最終上調(diào)的可能性較大。

2011-04-01

光伏太陽能核能