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技術(shù)文章

USB 3.0測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)將于09年6月底出臺(tái)

新一代USB“USB 3.0”的兼容性測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)有望于2009年上半年出臺(tái)。參與測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)制定的美國安捷倫科技（Agilent Technologies）表示，預(yù)定于09年6月底之前推出“Test Specification 1.0”。這是安捷倫公司的USB應(yīng)用產(chǎn)品經(jīng)理Jim Choate在09年3月6日于東京都內(nèi)舉行的研討會(huì)“USB 3.0―SuperSpeed USB的沖擊”上...

2009-03-12

USB 3.0 測(cè)試儀器

Si7137DP：Vishay新型P 通道功率MOSFET

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）發(fā)布采用其新型 p 通道 TrenchFET第三代技術(shù)的首款器件 --- Si7137DP，該 20V p通道 MOSFET 采用 SO-8 封裝，具備業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻。

2009-03-12

TrenchFET Si7137DP MOSFET 導(dǎo)通電阻開關(guān)

美國ITC對(duì)光電設(shè)備啟動(dòng)337調(diào)查無中國企業(yè)涉案

3家安華高科技公司提出申請(qǐng)，指控美國進(jìn)口以及在美國銷售的部分光電設(shè)備及其組件侵犯了其專利權(quán)，要求ITC對(duì)被申請(qǐng)人啟動(dòng)337調(diào)查，并發(fā)布普遍排除令和禁止令。

2009-03-12

ITC 安華高 337調(diào)查

中國版WEEE出臺(tái)：電器廠商成本上升5%

在歐盟《關(guān)于報(bào)廢電子電器設(shè)備指令》(WEEE)全面實(shí)施近三年后，中國版WEEE出臺(tái)。條例對(duì)制造商有很多保護(hù)措施，而金融危機(jī)的到來讓該條例正式實(shí)施的時(shí)間推遲到2011年元旦。中國版的WEEE在多次征求意見和修改后對(duì)生產(chǎn)者采取了優(yōu)惠的政策，但保留了“生產(chǎn)者負(fù)責(zé)制”。該法規(guī)有可能使電器制造商的成本上升5...

2009-03-12

中國版WEEE WEEE 關(guān)于報(bào)廢電子電器設(shè)備指令廢棄電器電子產(chǎn)品回收處理管理?xiàng)l例