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技術(shù)文章

日本松下電器開(kāi)發(fā)出新型直接甲醇燃料電池

日本松下電器產(chǎn)業(yè)公司日前宣布，該公司開(kāi)發(fā)出一款單位體積輸出功率兩倍于以往產(chǎn)品的直接甲醇燃料電池，適合筆記本電腦、手機(jī)等便攜設(shè)備使用。

2008-10-23

燃料電池

江西首個(gè)多晶硅生產(chǎn)項(xiàng)目在樟樹(shù)正式投產(chǎn)

10月23日，引進(jìn)世界領(lǐng)先技術(shù)、一期總投資達(dá)5000萬(wàn)美元，年產(chǎn)多晶硅500噸、三氯氫硅1.6萬(wàn)噸的江西通能硅材料有限公司多晶硅生產(chǎn)項(xiàng)目在江西樟樹(shù)正式投產(chǎn)，這是江西省首個(gè)投產(chǎn)的多晶硅生產(chǎn)項(xiàng)目。

2008-10-23

多晶硅三氯氫硅

高壓大功率變頻器在長(zhǎng)輸管道上的應(yīng)用

高壓大功率的大型變頻器在長(zhǎng)輸管道輸油生產(chǎn)過(guò)程中應(yīng)用可以節(jié)省電力，提高系統(tǒng)穩(wěn)定性，本文介紹了秦京線的應(yīng)用實(shí)例。

2008-10-23

變頻器長(zhǎng)輸管道節(jié)能

高分子PTC熱敏電阻工作原理介紹

本文主要介紹高分子PTC熱敏電阻的工作原理及其環(huán)境影響因素。首先分析了高分子PTC熱敏電阻用于過(guò)流保護(hù)的工作原理，其次分析了環(huán)境溫度對(duì)高分子PTC熱敏電阻的影響，最后介紹了高分子PTC熱敏電阻動(dòng)作后的恢復(fù)特性。

2008-10-23

高分子PTC熱敏電阻過(guò)流保護(hù) 環(huán)境影響

ESD分析工具——傳輸線路脈沖(TLP)

本文主要介紹了一種研究電流和時(shí)域ESD事件下的集成電路技術(shù)和電路行為的方法——傳輸線路脈沖（TLP），首先闡釋了時(shí)域反射TLP系統(tǒng)，接著舉例進(jìn)一步解釋TLP的使用，最后指明了TLP的多方面用途。

2008-10-23

ESD測(cè)試工具 TLP

高壓交流隔離開(kāi)關(guān)和接地開(kāi)關(guān)選用的若干問(wèn)題

本文分析了高壓交流隔離開(kāi)關(guān)和接地開(kāi)關(guān)選用的若干問(wèn)題，包括：隔離開(kāi)關(guān)開(kāi)合母線轉(zhuǎn)換電流、接地開(kāi)關(guān)開(kāi)合感應(yīng)電流、單柱垂直斷口隔離開(kāi)關(guān)的額定接觸區(qū)、接地開(kāi)關(guān)的短路持續(xù)時(shí)間和隔離開(kāi)關(guān)的過(guò)載能力、接地開(kāi)關(guān)的長(zhǎng)期通流問(wèn)題、絕緣子爬電距離是否需要進(jìn)行海拔修正的問(wèn)題。

2008-10-23

隔離開(kāi)關(guān) 接地開(kāi)關(guān) 轉(zhuǎn)換電流隔離電流接觸區(qū)

SiR476DP/SiR892DP/SiR850DP ：Vishay新型功率MOSFET

日前，Vishay推出一款新型 25V n 通道器件，從而擴(kuò)展了其 Gen III TrenchFET功率 MOSFET 系列，對(duì)于采用 PowerPAK SO-8 封裝類型且具有該額定電壓的器件而言，該器件具有業(yè)界最低的導(dǎo)通電阻以及導(dǎo)通電阻與柵極電荷之乘積。

2008-10-23

SiR476DP SiR892DP SiR850DP MOSFET