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技術(shù)文章

電磁兼容EMC中的屏蔽技術(shù)分析

電磁場的屏蔽可分為靜電屏蔽、靜磁屏蔽和電磁屏蔽三種情況。本文描述了靜電屏蔽、靜磁屏蔽、電磁屏蔽的物理內(nèi)容、物理?xiàng)l件、屏蔽作用等以及它們之間的聯(lián)系。

2008-10-12

靜電屏蔽靜磁電磁

RFID 技術(shù)原理及其射頻天線設(shè)計(jì)

首先簡要介紹RFID 技術(shù)的基本工作原理,然后介紹了幾種基本的RFID 射頻天線及其工作原理,并針對普遍使用的偶極子天線在RFID 系統(tǒng)中方向性上的不足提出改進(jìn),最后,給出一個(gè)具有全向收發(fā)功能的RFID 天線設(shè)計(jì).

2008-10-12

RFID 技術(shù) 天線偶極子

1.9GHz基站前端射頻LNA仿真與實(shí)現(xiàn)研究

本文給出了基于E-pHEMT管ATF-54143和混合耦合器2A1306-3的射頻低噪聲放大器的設(shè)計(jì)。E-pHEMT管的低噪聲系數(shù)和高OIP3使它在高動(dòng)態(tài)范圍電路設(shè)計(jì)上具有很大的優(yōu)勢,并且該放大器的技術(shù)指標(biāo)達(dá)到了CDMA基站的接收前端對低噪聲放大器的規(guī)范要求,具有很好的應(yīng)用前景。

2008-10-12

截點(diǎn) E-pHEMT 平衡結(jié)構(gòu) LNA 仿真

阻抗匹配

本文詳細(xì)討論了傳輸線的阻抗匹配問題。重點(diǎn)介紹了串聯(lián)終端匹配和并聯(lián)終端匹配，提出將訊號(hào)的傳輸看成軟管送水澆花和傳輸線之終端控管技術(shù)。

2008-10-12

傳輸線阻抗匹配訊號(hào) 特性阻抗

RF功率MOSFET產(chǎn)品及其工藝開發(fā)

本文通過分析RF功率 LDMOSFET的性能和結(jié)構(gòu)特征，設(shè)計(jì)出RF 功率 LDMOSFET器件結(jié)構(gòu)，通過工藝和器件模擬確定了關(guān)鍵參數(shù)，并設(shè)計(jì)了一套符合6寸芯片生產(chǎn)線的制造工藝流程，對工藝中的難點(diǎn)提出了解決方案。

2008-10-12

RF MOSFET 性能工藝

運(yùn)放式射頻放大器

本文詳細(xì)介紹了放大器的基本拓?fù)浜蛥?shù)，如果價(jià)格可以接受的話，運(yùn)放，特別是CFB運(yùn)放非常適合射頻設(shè)計(jì)。

2008-10-12

運(yùn)放射頻 CFB

CDS2C05HDMI1/CDS3C05HDMI：EPCOS高速數(shù)據(jù)線ESD防護(hù)CeraDiode

愛普科斯現(xiàn)可提供0402和0603尺寸的CeraDiodes，其特點(diǎn)是標(biāo)準(zhǔn)值為0.6pF的極低的電容值。因此，該類產(chǎn)品適合于高速數(shù)據(jù)線的ESD防護(hù)，如USB、以太網(wǎng)、Firewire、eSATA和HDMI。

2008-10-11

ESD防護(hù) CeraDiode CDS2C05HDMI1 CDS3C05HDMI