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技術(shù)文章

OLED電源設(shè)計(jì)

OLED具有自發(fā)光、超薄等優(yōu)勢(shì)成為DSC、掌上游戲機(jī)或手機(jī)等產(chǎn)品的理想選擇，這些產(chǎn)品都極具發(fā)展前景?？傊夹g(shù)與市場(chǎng)潛力是一個(gè)產(chǎn)業(yè)成長(zhǎng)的關(guān)鍵因素。在技術(shù)上，國(guó)內(nèi)OLED廠商的努力已相當(dāng)受到肯定，若能進(jìn)一步提升品牌效應(yīng)、產(chǎn)品定位上的實(shí)力，必將在逐步起飛的OLED產(chǎn)業(yè)中立定卓越的地位。

2008-09-29

oled vdd vss mosfet

DC-DC變換器AVP控制方法的分析

隨著VRM輸入容量的越來(lái)越大和動(dòng)態(tài)要求的越來(lái)越嚴(yán)格，AVP控制在VRM中的應(yīng)用被人們重新認(rèn)識(shí)。本文對(duì)AVP控制策略的有源法和無(wú)源法進(jìn)行了理論分析，并采用一種新式檢測(cè)方法實(shí)現(xiàn)AVP控制,并通過(guò)比較實(shí)驗(yàn)證實(shí)了AVP控制方法的優(yōu)越性。

2008-09-29

電壓調(diào)整模塊降壓控制有源法無(wú)源法

CCD數(shù)字相機(jī)的電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)

為實(shí)現(xiàn)多路DC/DC轉(zhuǎn)換功能，提出一種開(kāi)關(guān)型穩(wěn)壓電源與線性穩(wěn)壓電源相結(jié)合的系統(tǒng)設(shè)計(jì)方案。分析了具有BOOST/BUCK功能的開(kāi)關(guān)電源和線性穩(wěn)壓電源的工作特性，并結(jié)合CCD相機(jī)的整體設(shè)計(jì)要求，實(shí)現(xiàn)了相機(jī)電源的功耗低、發(fā)熱量小、EMI干擾輕的設(shè)計(jì)目標(biāo)。

2008-09-29

CCD 電源 DC/DC轉(zhuǎn)換

EMI及無(wú)Y電容手機(jī)充電器的設(shè)計(jì)

本文介紹了與EMI傳導(dǎo)相關(guān)的共模及差模電流產(chǎn)生的原理以及靜點(diǎn)和動(dòng)點(diǎn)的概念，然后詳細(xì)地說(shuō)明了在變壓器結(jié)構(gòu)中使用補(bǔ)償設(shè)計(jì)以及靜點(diǎn)和動(dòng)點(diǎn)的調(diào)整方法，以提高EMI的傳導(dǎo)性能。最后給出了相應(yīng)的實(shí)驗(yàn)波形和測(cè)試結(jié)果。

2008-09-29

傳導(dǎo)干擾共模電流差模電流 Y電容

霍爾效應(yīng)技術(shù)提供緊湊型電流測(cè)量傳感器

NANALEM K.K公司的HX傳感器很好地克服了傳統(tǒng)測(cè)量電流方法中的缺點(diǎn)，并且滿足了在成本很尺寸上的要求。HX傳感器的核心是一個(gè)霍爾效應(yīng)發(fā)生器，對(duì)關(guān)鍵噪聲具有完美免疫力，在并排安裝在三相應(yīng)用中時(shí)，HX電流傳感器引起的相互干擾非常小。

2008-09-29

HX系列霍爾效應(yīng) 噪聲干擾

基于感應(yīng)耦合比率臂的高精度位移測(cè)量系統(tǒng)

本文討論了比率測(cè)量方法的優(yōu)點(diǎn)，介紹了運(yùn)用感應(yīng)耦合比率臂和差動(dòng)式電容位移傳感器設(shè)計(jì)的高精度微小位移測(cè)量系統(tǒng)。給出了一種實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)例子和主要的測(cè)試結(jié)果，說(shuō)明了該設(shè)計(jì)在小位移測(cè)量中的有效性。

2008-09-29

位移測(cè)量感應(yīng)耦合比率臂電容傳感器納米測(cè)量

電源應(yīng)用中場(chǎng)效應(yīng)晶體管的崩潰效應(yīng)

在 SMPS(Switching Mode Power Supply) 以及 DC-DC 轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)中 , 使用場(chǎng)效應(yīng)晶體管當(dāng)作切換開(kāi)關(guān)已經(jīng)越來(lái)越普遍。此篇文章可帶領(lǐng)各位去判斷何種條件下對(duì)場(chǎng)效應(yīng)晶體管所造成的影響 , 進(jìn)而幫助設(shè)計(jì)者去衡量成本及可靠度以取得最佳的平衡點(diǎn)。

2008-09-29

場(chǎng)效應(yīng)晶體 UIS 接合面過(guò)壓

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