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技術(shù)文章

優(yōu)化變換器的FET開關(guān)以改善能量效率

現(xiàn)在越來越多的設(shè)計師在關(guān)注DC/DC功率系統(tǒng)的效率問題，功率MOSFET是DC/DC功率電路中功率損耗的罪魁禍?zhǔn)?，而通過采用先進(jìn)的器件，可以將這一損耗大幅降低。MOSFET廠商主要通過兩種方式來優(yōu)化工藝的發(fā)展。首先，為了改善產(chǎn)品的開關(guān)特性（開關(guān)速度），他們實施了先進(jìn)的柵極結(jié)構(gòu)設(shè)計，降低了柵極電荷（Q...

2008-09-18

MOSFET 開關(guān)和傳導(dǎo)損耗系統(tǒng)級效率開關(guān)特性單元密度

電子變壓器發(fā)展方向微型化發(fā)展

電子變壓器行業(yè)為適應(yīng)市場經(jīng)濟和配套的需求，近幾年，經(jīng)營機制有了較大的轉(zhuǎn)變。行業(yè)協(xié)會統(tǒng)計的數(shù)據(jù)顯示，民營企業(yè)已占電子變壓器行業(yè)的50%左右。目前我國電子變壓器市場基本處于穩(wěn)定狀態(tài)，由于電子變壓器屬于勞動密集型產(chǎn)品，我國勞動力成本比較低廉，行業(yè)沒有受到較大沖擊，出口方面反而有了進(jìn)一步...

2008-09-17

電子變壓器壓電陶瓷變壓器

SuperMESH3系列： ST照明和開關(guān)電源應(yīng)用功率MOSFET

意法半導(dǎo)體（ST）進(jìn)一步提高照明鎮(zhèn)流器功率MOSFET晶體管的耐受能力、開關(guān)性能和能效，功率MOSFET被用于鎮(zhèn)流器的功率因數(shù)校正器和半橋電路以及開關(guān)電源內(nèi)。SuperMESH3的創(chuàng)新技術(shù)，配合優(yōu)異的dv/dt性能及更高的擊穿電壓裕度，將大幅度提高可靠性和安全性。

2008-09-17

MOSFET STx6N62K3 STx3N62K3 STx7N52K3 STx6N52K3 SuperMESH3

VPR221Z/SZ ：Vishay 新型超高精度Z箔電阻

Vishay宣布推出新型 VPR221Z超高精度 Z 箔電阻。此新器件可提供 ±0.05ppm/°C及 ±0.2 ppm/°C的工業(yè)級別絕對 TCR、在 +25°C 時最多 8W 的額定功率、±4ppm/W （典型值）的優(yōu)越功率系數(shù)（“自身散熱產(chǎn)生的 ?R”）及 ±0.01% 的容差。

2008-09-17

電阻 VPR221Z VPR221SZ

全球2012年車載MEMS傳感器供貨量將比06年增加1倍

世華財訊美國iSuppli發(fā)布的預(yù)測顯示，車載MEMS傳感器全球供貨量2012年將比06年增加一倍，達(dá)到9.357億個。

2008-09-16

車載MEMS傳感器

法國改光伏法規(guī) 太陽能市場受影響

據(jù)報道，法國政府已經(jīng)通過法國國會的批準(zhǔn)，對該國光伏發(fā)電法規(guī)進(jìn)行有史以來最大的一次修改，這無疑是對法國以及歐洲太陽能發(fā)電產(chǎn)業(yè)一次巨大的沖擊。

2008-09-16

光伏發(fā)電太陽能

我國遭美"337調(diào)查" LED企業(yè)上升至10家

2008年8月30日，我國又有6家LED企業(yè)即半導(dǎo)體照明企業(yè)，被控涉嫌專利侵權(quán)而將面臨美國國際貿(mào)易委員會(U.S.ITC)的“337調(diào)查”。加上此前已有6家中國大陸LED企業(yè)被起訴且其中4家被列入ITC“337調(diào)查”名單，今年以來，我國已有12家LED企業(yè)遭遇海外知識產(chǎn)權(quán)糾紛(不包括我國臺灣地區(qū)企業(yè))。

2008-09-16

知識產(chǎn)權(quán) LED Rothschild 337調(diào)查