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技術(shù)文章

TDK中國(guó)營(yíng)業(yè)統(tǒng)括部統(tǒng)括部長(zhǎng)南研造接受媒體專訪：提高耐熱性是被動(dòng)元件發(fā)展的一個(gè)新方向

1935年，鐵氧體的發(fā)明人，當(dāng)時(shí)任教日本東京工業(yè)大學(xué)電化學(xué)系的加藤與五郎博士和武井武博士創(chuàng)立了東京電氣化學(xué)工業(yè)株式會(huì)社，從事磁性材料的商業(yè)開(kāi)發(fā)和運(yùn)營(yíng)。1983年，該公司正式更名為T(mén)DK株式會(huì)社，取的是原名稱Tokyo（東京） Denki（電氣） Kagaku（化學(xué)）的首字母（中文公司譯名：東電化）。

2008-07-17

被動(dòng)元件

TG-5005CG：Epson Toyocom搭載了QMEMS印制蝕刻芯片的小型TCXO

Epson Toyocom公司開(kāi)始批量生產(chǎn)針對(duì)手機(jī)終端的GPS，在小型且高精度TCXO（溫度補(bǔ)償晶體振蕩器）TG-5005CG中搭載了使用QMEMS技術(shù)制作的印制蝕刻芯片的產(chǎn)品。

2008-07-16

TG-5005CG TCXO 溫度補(bǔ)償晶體振蕩器

VSA101：Vishay 新型VSA101超高精度軸向 Z 箔電阻

Vishay推出新型 VSA101軸向 Bulk Metal Z 箔電阻。這款新型器件在 0°C～+60°C 以及 -55°C～+125°C的溫度范圍內(nèi)分別具有 ±0.05 ppm/°C 及 ±0.2 ppm/°C 的低絕對(duì) TCR、額定功率時(shí) ±5 ppm 的出色 PCR（“?R，由于自加熱”）、±0.005% 的容差，以及 ±0.005% 的負(fù)載壽命穩(wěn)定性。

2008-07-16

VSA101 Z 箔電阻軍用級(jí)

STV250N55F3：意法半導(dǎo)體新250A功率MOSFET

意法半導(dǎo)體（紐約證券交易所代碼：STM）推出一款250A表面貼裝的功率MOSFET晶體管，新產(chǎn)品擁有市場(chǎng)上最低的導(dǎo)通電阻，可以把功率轉(zhuǎn)換損耗降至最低，并提高系統(tǒng)性能。

2008-07-16

MOSFET STV250N55F3

30CTT045/60CPT045：Vishay第5 代高性能45V肖特基二極管

Vishay宣布推出最大結(jié)溫高達(dá) +175°C 的首款新型第五代（Gen. 5.0）高性能 45V 肖特基二極管。30CTT045 與60CPT045器件基于亞微米溝槽技術(shù)，可提供超低的正向壓降以及低反向漏電流，從而可使設(shè)計(jì)人員提高汽車及其他高溫應(yīng)用中的功率密度。

2008-07-11

30CTT045 60CPT045 肖特基二極管 diode