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半導(dǎo)體設(shè)備制造商的好日子己經(jīng)到來
按Hill看法, 今年半導(dǎo)體業(yè)有13-15%的增長, 而半導(dǎo)體設(shè)備市場今年可能有80%的超常增長。同時，VLSI市場研究公司認(rèn)為2010年全球半導(dǎo)體市場達(dá)2315億美元, 相比于09年增長21.9%,而09年IC市場下降8,4%。2010年全球半導(dǎo)體設(shè)備市場可達(dá)332億美元, 相比于09年增長42.5%, 而09年IC設(shè)備市場下降43.1%。
2010-04-28
半導(dǎo)體設(shè)備 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 芯片
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恩智浦推出新的符合Q101標(biāo)準(zhǔn)的LFPAK封裝MOSFET
恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors）近日成為首個發(fā)布以LFPAK為封裝（一種緊湊型熱增強(qiáng)無損耗的封裝）全系列汽車功率MOSFET的供應(yīng)商。結(jié)合了恩智浦在封裝技術(shù)及TrenchMOS技術(shù)方面的優(yōu)勢和經(jīng)驗，新的符合Q101標(biāo)準(zhǔn)的LFPAK封裝MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）被認(rèn)為是世界上高度可靠的功率SO-8...
2010-04-27
SO-8 MOSFET 恩智浦 Q101 LFPAK封裝
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Cree宣布推出突破性創(chuàng)新照明類LED器件
Cree 公司宣布推出突破性創(chuàng)新照明類 LED 器件——XLamp XM LED。這款新型單芯片 LED 不僅在 350 mA的驅(qū)動電流下提供了創(chuàng)紀(jì)錄的160 lm/w高光效，而且還能在 2 A 電流下提供 750 lm 的光通量，這意味著不足 7 W 的此類 LED 能夠產(chǎn)生相當(dāng)于 60 W 的白熾燈產(chǎn)生的光輸出。
2010-04-27
Cree 照明 LED XM LED Screen Master 4mm LED
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飛兆半導(dǎo)體和英飛凌科技達(dá)成功率MOSFET兼容協(xié)議
全球領(lǐng)先的高性能功率和移動產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布，兩家公司就采用MLP 3x3 (Power33?)和Power Stage 3x3封裝的功率MOSFET達(dá)成封裝合作伙伴協(xié)議。
2010-04-27
飛兆半導(dǎo)體 英飛凌 MOSFET
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三星5.5代OLED線2011年投產(chǎn)
近日三星表示，目前已經(jīng)在投建5.5代線 OLED面板廠，預(yù)計在明（2011）年1月份正式投產(chǎn)。該消息也印證了今年初三星計劃投入5.5代線OLED面板生產(chǎn)的傳聞。
2010-04-27
三星 OLED線 投產(chǎn) 面板
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太陽能模塊每瓦1美元生產(chǎn)成本時代即將來臨
太陽能模塊每瓦1美元生產(chǎn)成本時代即將來臨，最大功臣是臺灣及大陸廠商，尤其是臺廠賣命演出，使得價格快速下滑，未來要持續(xù)降低成本，料源成本將是重要關(guān)鍵。
2010-04-27
太陽能 模塊 生產(chǎn)成本 即將來臨
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中國技術(shù)型耐用消費品市場2009年回顧與2010年展望
2008年4季度以來，一些曾經(jīng)不大熟悉的詞匯涌入人們的腦海中，如，“金融海嘯”、“經(jīng)濟(jì)危機(jī)”、“市場萎縮”、“消費不足”等等。經(jīng)濟(jì)危機(jī)，從美國這個世界經(jīng)濟(jì)第一大國開始，迅速蔓延到世界上各個國家，并且蔓延到各個市場。中國也不例外，遭遇到前所未有的沖擊
2010-04-27
技術(shù)型 消費品 市場 回顧 展望
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超級電容下一步挑戰(zhàn)：提高工作電壓
超級電容的應(yīng)用版圖不斷地持續(xù)擴(kuò)展，因為超級電容能提供比電池更高的瞬間功率。其重要的應(yīng)用包括在手機(jī)上供給閃光燈所需的瞬間功率，并接受電池再充電，能延長通話時間與電池壽命，還能為工程師節(jié)省設(shè)備空間和成本。
2010-04-26
超級電容 電池 充電
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IHLP-1212BZ-11：Vishay推出其最小的IHLP器件
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用1212外形尺寸的新款I(lǐng)HLP?小尺寸、高電流電感器 --- IHLP-1212BZ-11。IHLP-1212BZ-11是迄今為止Vishay最小的IHLP器件，具有3.0mm x 3.6mm的占位、2.0mm的超小尺寸以及0.22μH至1.5μH的標(biāo)準(zhǔn)感值，其最高頻率可達(dá)1.0MHz。
2010-04-26
IHLP-1212BZ-11 IHLP器 Vishay
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