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技術(shù)文章

電源變換器中電流/電壓模式相互轉(zhuǎn)化分析

本文先簡單的介紹了電流模式和電壓模式的工作原理和這兩種工作模式它們各自的優(yōu)缺點；然后探討了理想的電壓模式利用輸出電容ESR取樣加入平均電流模式和通過輸入電壓前饋加入電流模式的工作過程。也討論了電流模式在輸出輕載或無負(fù)載時，在使用大的電感或在占比大于0.5加入斜坡補償后，系統(tǒng)會從電流...

2009-10-26

變換器電流/電壓模式轉(zhuǎn)化

基于漏極導(dǎo)通區(qū)特性理解MOSFET開關(guān)過程

本文先介紹了基于功率MOSFET的柵極電荷特性的開關(guān)過程；然后介紹了一種更直觀明析的理解功率MOSFET開關(guān)過程的方法：基于功率MOSFET的導(dǎo)通區(qū)特性的開關(guān)過程，并詳細(xì)闡述了其開關(guān)過程。開關(guān)過程中，功率MOSFET動態(tài)的經(jīng)過是關(guān)斷區(qū)、恒流區(qū)和可變電阻區(qū)的過程。在跨越恒流區(qū)時，功率MOSFET漏極的電流和...

2009-10-26

MOSFET 關(guān)斷區(qū) 恒流區(qū) 可變電阻區(qū)

通信系統(tǒng)中超高效率Buck變換器設(shè)計考慮

本文介紹了在通信系統(tǒng)中，同步Buck變換器上部功率MOSFET和下部功率MOSFET的工作特點，同時討論了在設(shè)計高效率的同步Buck變換器時，選取上部和下部功率MOSFET原則；介紹了一種新型的采用柵極屏蔽的功率MOSFET，極低的漏柵極米勒電容適合于上部功率MOSFET的應(yīng)用；還介紹了一種適合于下部功率MOSFET應(yīng)...

2009-10-26

Buck變換器 MOSFET

EMC測試暗室介紹

在安規(guī)測試和各種認(rèn)證測試中電磁兼容的測試必不可少，這些認(rèn)證類的測試對測試的環(huán)境有嚴(yán)格的規(guī)定，只能在專門的實驗機(jī)構(gòu)內(nèi)測試。本文主要講解測試必不可少的測試暗室，和各種測試的手段。

2009-10-26

EMC EMI 測試暗室

磁珠及其在開關(guān)電源中的應(yīng)用

近年來，由于電磁兼容的迫切要求，鐵氧體磁珠得到了廣泛的應(yīng)用，尤其是片式鐵氧體磁珠。在各種現(xiàn)代電子產(chǎn)品中，為了達(dá)到電磁兼容的要求，幾乎都采用了這類元件。但值得注意的是，這類元件品種繁多，性能各異，不像阻容元件那樣的系列化、標(biāo)準(zhǔn)化，本文全面的須介紹各種鐵氧體磁珠的特性以及應(yīng)用

2009-10-26

磁珠開關(guān)電源電磁兼容

降壓轉(zhuǎn)換器電流取樣電阻三種位置的選擇

本文介紹了電流模式降壓轉(zhuǎn)換器的電流取樣電阻放置的三種位置，即輸入端、輸出端及續(xù)流管，同時詳細(xì)地說明了這三種位置各自的優(yōu)點及缺點，還闡述了由此而產(chǎn)生的峰值電流模式和谷點電流模式的工作原理，以及它們各自的工作特性。本文也給出了使用高端主開關(guān)管導(dǎo)通電阻、低端同步開關(guān)管導(dǎo)通電阻，以及...

2009-10-26

降壓轉(zhuǎn)換器峰值電流模式谷點電流模式

基于Buck變換器的LED驅(qū)動器反饋環(huán)路設(shè)計及測試

本文討論了基于Buck變換器的LED驅(qū)動器與常規(guī)的Buck變換器的設(shè)計差異，介紹了這種LED驅(qū)動器高端電流取樣和低端電流取樣各自的優(yōu)缺點，然后闡述了AOZ0181的工作特性，同時介紹了AOZ0181反饋環(huán)路的設(shè)計過程。最后，分析了不能直接測量Buck型LED驅(qū)動器增益裕量和相位裕量的原因，并給出了通過增加一個電...

2009-10-26

Buck變換器 LED 增益裕量相位裕量電壓跟隨器