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技術(shù)文章

增強(qiáng)DC/DC變換器動(dòng)態(tài)響應(yīng)的新方法

DRC電路可以大幅降低DC/DC變換器負(fù)載瞬變失真的幅度和持續(xù)時(shí)間。DRC電路參數(shù)必須與DC/DC變換器的特性以及負(fù)載電流瞬變的最大幅度相匹配。應(yīng)小心選擇輔助充電電壓和儲(chǔ)能電容器,以便與DC/DC輸出電流轉(zhuǎn)換速率和負(fù)載電流階躍的振幅相匹配。

2008-10-04

DC/DC 負(fù)載動(dòng)態(tài)響應(yīng) DRC ESR

開關(guān)電源電磁干擾濾波器

隨著開關(guān)電源的發(fā)展，其中的電磁干擾問題倍受重視，開關(guān)電源電磁干擾濾波器也就隨之產(chǎn)生。本文介紹了開關(guān)電源電磁干擾(EMI)的特點(diǎn)，電磁干擾濾波器設(shè)計(jì)原則和電磁干擾濾波器的電路結(jié)構(gòu)與參數(shù)選擇，以及電磁干擾濾波器的安裝。

2008-10-04

開關(guān)電源電磁干擾濾波器

SCiB：東芝最新筆記本電池充電只需10分鐘

10月2日消息，東芝本周二展示了其為筆記本電腦設(shè)計(jì)的一種快速充電的SCiB（超級充電離子電池）電池的原型產(chǎn)品。不過，東芝表示，這種技術(shù)要應(yīng)用到計(jì)算機(jī)中還有很長的路要走。

2008-10-02

SCiB 筆記本電池

用于有源電力濾波器的IGBT驅(qū)動(dòng)及保護(hù)研究

絕緣柵場效應(yīng)晶體管(IGBT)作為一種復(fù)合型器件，集成了MOSFET的電壓驅(qū)動(dòng)和高開關(guān)頻率及功率管低損耗、大功率的特點(diǎn)，在電機(jī)控制、開關(guān)電源、變流裝置及許多要求快速、低損耗的領(lǐng)域中有著廣泛的應(yīng)用。本文對應(yīng)用于有源電力濾波器的IGBT的特性及其專有EXB84l型驅(qū)動(dòng)器的設(shè)計(jì)進(jìn)行討論，并提出一種具有完...

2008-10-02

IGBT 門極電阻 EXB841 驅(qū)動(dòng)電路

南方芯源推出全新A系列MOSFET

南方芯源(Samwin)開始向市場推廣全新A系列MOSFET。Samwin A系列采用先進(jìn)的6寸片0.6um生產(chǎn)線，產(chǎn)品的品質(zhì)因子處于國內(nèi)領(lǐng)先地位，與Fairchild uniFET產(chǎn)品一致。在民用級開關(guān)電源產(chǎn)品上完全可替代國外品牌。

2008-10-01

A系列MOSFET 開關(guān)電源

2010年筆記本電腦將100%采用LED背光顯示屏

10月1日消息，市場觀察人士日前指出，LED（發(fā)光二極管）背光顯示屏在筆記本電腦中的應(yīng)用明年將達(dá)30%到40%。

2008-10-01

LED

AIS326DQ：ST針對汽車系統(tǒng)和工業(yè)應(yīng)用MEMS加速度傳感器

意法半導(dǎo)體推出旗下首款的汽車質(zhì)量級三軸MEMS加速度傳感器。新產(chǎn)品AIS326DQ符合AEC-Q100汽車產(chǎn)品質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)。意法半導(dǎo)體充分發(fā)揮成功的MEMS八寸晶圓廠制造能力，以具有競爭力的價(jià)格為系統(tǒng)集成商提供MEMS前沿技術(shù)。

2008-10-01

AIS326DQ MEMS加速度傳感器